बातम्या

Veteksemicon 2025 शांघाय SEMICON आंतरराष्ट्रीय प्रदर्शनात चमकत आहे, जे नाविन्यपूर्ण तंत्रज्ञानासह सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या भविष्यात आघाडीवर आहे

सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंग इंडस्ट्रीमध्ये, डिव्हाइसचा आकार संकुचित होत असताना, पातळ फिल्म मटेरियलच्या जमा तंत्रज्ञानाने अभूतपूर्व आव्हाने निर्माण केली आहेत. अणु स्तरावर अचूक नियंत्रण मिळवू शकणारे पातळ फिल्म जमा तंत्रज्ञान म्हणून अणु थर जमा (एएलडी) अर्धसंवाहक उत्पादनाचा अपरिहार्य भाग बनला आहे. प्रगत चिप मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये त्याची महत्त्वपूर्ण भूमिका समजण्यास मदत करण्यासाठी या लेखाचे उद्दीष्ट प्रक्रिया प्रवाह आणि एएलडीची तत्त्वे सादर करणे आहे.

परिपूर्ण क्रिस्टलीय बेस लेयरवर इंटिग्रेटेड सर्किट किंवा सेमीकंडक्टर डिव्हाइस तयार करणे हे आदर्श आहे. सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमधील एपिटॅक्सी (ईपीआय) प्रक्रियेचा हेतू एकल-क्रिस्टलिन सब्सट्रेटवर साधारणत: 0.5 ते 20 मायक्रॉन, एक सिंगल-क्रिस्टलिन लेयर जमा करणे आहे. एपिटॅक्सी प्रक्रिया सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या निर्मितीसाठी एक महत्त्वपूर्ण पायरी आहे, विशेषत: सिलिकॉन वेफर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये.