सच्छिद्र ग्रेफाइट

SiC सब्सट्रेट उत्पादक सामान्यतः हॉट फील्ड प्रक्रियेसाठी छिद्रयुक्त ग्रेफाइट सिलेंडरसह क्रूसिबल डिझाइन वापरतात. हे डिझाइन बाष्पीभवन क्षेत्र आणि चार्ज व्हॉल्यूम वाढवते. क्रिस्टल दोष दूर करण्यासाठी, वस्तुमान हस्तांतरण स्थिर करण्यासाठी आणि SiC क्रिस्टल गुणवत्ता वाढविण्यासाठी एक नवीन प्रक्रिया विकसित केली गेली आहे. यात थर्मल विस्तार आणि तणावमुक्तीसाठी सीडलेस क्रिस्टल ट्रे फिक्सेशन पद्धत समाविष्ट आहे. तथापि, क्रूसिबल ग्रेफाइट आणि सच्छिद्र ग्रेफाइटचा मर्यादित बाजार पुरवठा SiC सिंगल क्रिस्टल्सच्या गुणवत्तेला आणि उत्पन्नासाठी आव्हाने निर्माण करतो.

VeTek सेमीकंडक्टर पोरस ग्रेफाइटची प्रमुख वैशिष्ट्ये:

1.उच्च तापमान पर्यावरण सहिष्णुता - उत्पादन 2500 अंश सेल्सिअसच्या वातावरणाचा सामना करू शकते, उत्कृष्ट उष्णता प्रतिरोधकता दर्शवते.

2.कठोर सच्छिद्रता नियंत्रण - VeTek सेमीकंडक्टर घट्ट सच्छिद्रता नियंत्रण ठेवते, सातत्यपूर्ण कामगिरी सुनिश्चित करते.

3.अल्ट्रा-उच्च शुद्धता - वापरलेली सच्छिद्र ग्रेफाइट सामग्री कठोर शुद्धीकरण प्रक्रियेद्वारे उच्च पातळीची शुद्धता प्राप्त करते.

4.उत्कृष्ट पृष्ठभाग कण बंधनकारक क्षमता - VeTek सेमीकंडक्टरमध्ये उत्कृष्ट पृष्ठभाग कण बंधनकारक क्षमता आणि पावडर चिकटविण्यास प्रतिकार आहे.

5.गॅस वाहतूक, प्रसार आणि एकसमानता - ग्रेफाइटची सच्छिद्र रचना कार्यक्षम वायू वाहतूक आणि प्रसार सुलभ करते, परिणामी वायू आणि कणांची एकसमानता सुधारते.

6.गुणवत्ता नियंत्रण आणि स्थिरता - VeTek सेमीकंडक्टर क्रिस्टल वाढीमध्ये गुणवत्ता सुनिश्चित करण्यासाठी उच्च शुद्धता, कमी अशुद्धता सामग्री आणि रासायनिक स्थिरता यावर जोर देते.

7. तापमान नियंत्रण आणि एकसमानता - सच्छिद्र ग्रेफाइटची थर्मल चालकता एकसमान तापमान वितरण सक्षम करते, वाढीदरम्यान ताण आणि दोष कमी करते.

8. वर्धित विद्राव्य प्रसार आणि वाढीचा दर - सच्छिद्र रचना समान विद्राव्य वितरणास प्रोत्साहन देते, वाढीचा दर आणि क्रिस्टल्सची एकसमानता वाढवते.