साहित्य आणि डिझाइन

जुळलेले सब्सट्रेट आणि कोटिंग संयोजन निवडणे ही घटक अकाली बिघाड रोखणे, कण दूषित होणे कमी करणे आणि वेफर उत्पादन वाढवणे ही गुरुकिल्ली आहे. आम्ही ग्राहकाच्या विशिष्ट प्रक्रियेच्या खिडकीच्या आसपास (ऑपरेटिंग तापमान, प्रतिक्रियाशील वायू रसायनशास्त्र, रॅम्प दर) अनुरूप साहित्य आणि संरचनात्मक डिझाइन उपाय प्रदान करतो.

आमच्या मूळ डिझाइन क्षमता:

• कठोर CTE ताण जुळणी:जलद थर्मल सायकलिंगसाठी (>100 °C/मिनिट), आम्ही उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट सब्सट्रेट्स आणि CVD कोटिंग्जच्या CTE तापमान वक्रांशी तंतोतंत जुळतो, ज्यामुळे कोटिंग डिलेमिनेशन आणि मायक्रो-क्रॅकिंगचा धोका मूलभूतपणे कमी होतो.
• प्रक्रिया-परिदृश्य-विशिष्ट कोटिंग निवड:Si/SiC epitaxy (Epi), MOCVD आणि प्लाझ्मा एचिंग वातावरणासाठी CVD SiC कोटिंग; उच्च-तापमान आणि जोरदार संक्षारक परिस्थितीसाठी CVD TaC कोटिंग (उदा. SiC सिंगल-क्रिस्टल PVT वाढ).
• नियंत्रणीय प्रतिरोधकता आणि थर्मल चालकता ऑप्टिमायझेशन:RF, ESC इलेक्ट्रोस्टॅटिक चक्स किंवा हीटिंग झोनच्या विशिष्ट विद्युत आणि थर्मल-फील्ड आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी सब्सट्रेट आणि कोटिंगची बल्क प्रतिरोधकता आणि थर्मल चालकता यांचे अचूक नियंत्रण.
• दूषित स्त्रोत नियंत्रण आणि CoO कमी:उच्च-शुद्धता CVD डिपॉझिशन लेयर्स सच्छिद्र ग्रेफाइटला घनतेने सील करतात, कण कमी करणे, अल्ट्रा-ट्रेस मेटल अशुद्धता प्रसार आणि उच्च-तापमान आउटगॅसिंग जोखीम लक्षणीयरीत्या कमी करतात.

ठराविक कोटिंग निवड तुलना (एका दृष्टीक्षेपात मार्गदर्शक)

वास्तविक प्रकरण आणि ग्राहक लाभ (अनुभव):

एक अग्रगण्य SiC epitaxy (Epi) निर्माता:मूळ घटकाने न जुळणारी CVD TaC कोटिंग वापरली, परिणामी जास्त इंटरफेसियल ताण आणि उच्च तापमानात वारंवार सूक्ष्म क्रॅक होतात. आम्ही थर्मोडायनामिक सिम्युलेशन पुन्हा चालवले आणि a वर स्विच केलेCTE- जुळणारे विशेष उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट सब्सट्रेट + बफर लेयर + CVD SiC कोटिंगउपाय परिणाम: घटकाचे सरासरी आयुष्य 200 तासांवरून 850 तासांपर्यंत वाढले; प्रति टूल वार्षिक बदलण्याची वारंवारता 40 ते 9 वेळा कमी झाली; सर्वसमावेशक उपकरणे O&M खर्च बचत दर वर्षी RMB 650,000 पेक्षा जास्त आहे.

TaC आणि SiC कोटिंग्जसाठी GDMS शुद्धता विश्लेषण अहवाल

वारंवार विचारले जाणारे प्रश्न

तुमची खास सेवा आता सुरू करा