एसआयसी सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ प्रोसेस स्पेअर पार्ट्स

वेटेकसेमॉनचे उत्पादन, दटँटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंगएसआयसी सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ प्रक्रियेसाठी उत्पादने, सिलिकॉन कार्बाइड (एसआयसी) क्रिस्टल्सच्या वाढीच्या इंटरफेसशी संबंधित आव्हानांना संबोधित करतात, विशेषत: क्रिस्टलच्या काठावर उद्भवणारे सर्वसमावेशक दोष. टीएसी कोटिंग लागू करून, क्रिस्टल वाढीची गुणवत्ता सुधारण्याचे आणि क्रिस्टलच्या केंद्राचे प्रभावी क्षेत्र वाढविण्याचे आमचे लक्ष्य आहे, जे वेगवान आणि जाड वाढ साधण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.

टीएसी कोटिंग हा उच्च-गुणवत्तेच्या वाढीसाठी एक मुख्य तंत्रज्ञानाचा उपाय आहेSic एकल क्रिस्टल ग्रोथ प्रक्रिया? आम्ही केमिकल वाफ डिपॉझिशन (सीव्हीडी) वापरून टीएसी कोटिंग तंत्रज्ञान यशस्वीरित्या विकसित केले आहे, जे आंतरराष्ट्रीय स्तरावर प्रगत पातळीवर पोहोचले आहे. टीएसीमध्ये अपवादात्मक गुणधर्म आहेत, ज्यात 3880 डिग्री सेल्सियस पर्यंतचा उच्च वितळणारा बिंदू, उत्कृष्ट यांत्रिक सामर्थ्य, कडकपणा आणि थर्मल शॉक प्रतिरोध यांचा समावेश आहे. जेव्हा अमोनिया, हायड्रोजन आणि सिलिकॉन-युक्त स्टीम सारख्या उच्च तापमान आणि पदार्थांच्या संपर्कात येतात तेव्हा हे चांगले रासायनिक जडता आणि थर्मल स्थिरता देखील दर्शविते.

Vekemiconटँटलम कार्बाइड (टीएसी) कोटिंगएसआयसी सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ प्रक्रियेतील किनार-संबंधित समस्यांकडे लक्ष वेधण्यासाठी, वाढीच्या प्रक्रियेची गुणवत्ता आणि कार्यक्षमता सुधारण्यासाठी एक उपाय प्रदान करते. आमच्या प्रगत टीएसी कोटिंग तंत्रज्ञानासह, आम्ही तृतीय-पिढीतील सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या विकासास समर्थन देण्याचे आणि आयात केलेल्या की सामग्रीवरील अवलंबन कमी करण्याचे आमचे लक्ष्य आहे.

पीव्हीटी पद्धत sic सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ प्रोसेस स्पेअर पार्ट्स:

टीएसी लेपित क्रूसिबल, टीएसी कोटिंगसह बियाणे धारक, टीएसी कोटिंग गाईड रिंग हे पीव्हीटी पद्धतीनुसार एसआयसी आणि एआयएन सिंगल क्रिस्टल फर्नेसमधील महत्त्वपूर्ण भाग आहेत.

● उच्च तापमान प्रतिकार

●  उच्च शुद्धता, एसआयसी कच्चा माल आणि एसआयसी सिंगल क्रिस्टल्सला प्रदूषित करणार नाही.

●  अल स्टीम आणि n₂corrosion प्रतिरोधक

●  क्रिस्टल तयारी चक्र कमी करण्यासाठी उच्च युटेक्टिक तापमान (एएलएन सह).

●  पुनर्वापरयोग्य (200 एच पर्यंत), अशा एकल क्रिस्टल्सच्या तयारीची टिकाव आणि कार्यक्षमता सुधारते.