Sic क्रिस्टल ग्रोथ सच्छिद्र ग्रेफाइट

SiC क्रिस्टल ग्रोथ सच्छिद्र ग्रेफाइट हे अत्यंत नियंत्रित करण्यायोग्य छिद्र रचना असलेल्या सच्छिद्र ग्रेफाइटपासून बनविलेले साहित्य आहे. सेमीकंडक्टर प्रक्रियेमध्ये, ते उत्कृष्ट थर्मल चालकता, उच्च तापमान प्रतिरोध आणि रासायनिक स्थिरता दर्शविते, म्हणून ते भौतिक बाष्प जमा करणे, रासायनिक वाष्प जमा करणे आणि इतर प्रक्रियांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते, उत्पादन प्रक्रियेची कार्यक्षमता आणि उत्पादनाची गुणवत्ता लक्षणीयरीत्या सुधारते, एक ऑप्टिमाइझ सेमीकंडक्टर बनते. उत्पादन उपकरणाच्या कार्यक्षमतेसाठी महत्त्वपूर्ण सामग्री.

पीव्हीडी प्रक्रियेमध्ये, एसआयसी क्रिस्टल ग्रोथ सच्छिद्र ग्रेफाइट सहसा सब्सट्रेट समर्थन किंवा फिक्स्चर म्हणून वापरला जातो. त्याचे कार्य वेफर किंवा इतर सब्सट्रेट्सचे समर्थन करणे आणि जमा प्रक्रियेदरम्यान सामग्रीची स्थिरता सुनिश्चित करणे आहे. सच्छिद्र ग्रेफाइटची थर्मल चालकता सामान्यत: 80 डब्ल्यू/एम · के आणि 120 डब्ल्यू/एम · के दरम्यान असते, ज्यामुळे सच्छिद्र ग्रेफाइटला त्वरीत आणि समान रीतीने उष्णता आणण्यास सक्षम होते, ज्यामुळे स्थानिक ओव्हरहाटिंग टाळता येते, ज्यामुळे पातळ चित्रपटांचे असमानता रोखते, प्रक्रिया कार्यक्षमता मोठ्या प्रमाणात सुधारते ?

याव्यतिरिक्त, एसआयसी क्रिस्टल ग्रोथ सच्छिद्र ग्रेफाइटची विशिष्ट पोर्सिटी श्रेणी 20% ~ 40% आहे. हे वैशिष्ट्य व्हॅक्यूम चेंबरमध्ये गॅसचा प्रवाह पसरविण्यात मदत करू शकते आणि जमा प्रक्रियेदरम्यान गॅसचा प्रवाह फिल्म लेयरच्या एकसमानतेवर परिणाम होण्यापासून प्रतिबंधित करू शकतो.

सीव्हीडी प्रक्रियेत, SiC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइटची सच्छिद्र रचना वायूंच्या समान वितरणासाठी एक आदर्श मार्ग प्रदान करते. प्रतिक्रियाशील वायू पातळ फिल्म तयार करण्यासाठी गॅस-फेज रासायनिक अभिक्रियाद्वारे सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर जमा केला जातो. या प्रक्रियेसाठी प्रतिक्रियाशील वायूच्या प्रवाह आणि वितरणाचे अचूक नियंत्रण आवश्यक आहे. सच्छिद्र ग्रेफाइटची 20% ~ 40% सच्छिद्रता वायूला प्रभावीपणे मार्गदर्शन करू शकते आणि सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर समान रीतीने वितरित करू शकते, जमा केलेल्या फिल्म लेयरची एकसमानता आणि सुसंगतता सुधारते.

सच्छिद्र ग्रेफाइटचा वापर सामान्यतः भट्टीच्या नळ्या, सब्सट्रेट वाहक किंवा CVD उपकरणांमध्ये मुखवटा सामग्री म्हणून केला जातो, विशेषत: उच्च शुद्धता सामग्री आवश्यक असलेल्या आणि कण दूषित होण्यासाठी अत्यंत उच्च आवश्यकता असलेल्या अर्धसंवाहक प्रक्रियांमध्ये. त्याच वेळी, CVD प्रक्रियेमध्ये सामान्यतः उच्च तापमानाचा समावेश होतो आणि सच्छिद्र ग्रेफाइट 2500°C पर्यंत तापमानात त्याची भौतिक आणि रासायनिक स्थिरता राखू शकते, ज्यामुळे ते CVD प्रक्रियेत एक अपरिहार्य सामग्री बनते.

सच्छिद्र रचना असूनही, SiC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइटमध्ये अजूनही 50 MPa ची संकुचित ताकद आहे, जी अर्धसंवाहक उत्पादनादरम्यान निर्माण होणारा यांत्रिक ताण हाताळण्यासाठी पुरेसा आहे.

चीनच्या सेमीकंडक्टर उद्योगातील सच्छिद्र ग्रेफाइट उत्पादनांचा नेता म्हणून, वेटेक्सेमीने नेहमीच उत्पादन सानुकूलन सेवा आणि समाधानकारक उत्पादनांच्या किंमतींना समर्थन दिले आहे. आपल्या विशिष्ट आवश्यकता काय आहेत हे महत्त्वाचे नाही, आम्ही आपल्या सच्छिद्र ग्रेफाइटसाठी सर्वोत्तम उपाय जुळवू आणि कोणत्याही वेळी आपल्या सल्लामसलतची अपेक्षा करतो.

SiC क्रिस्टल ग्रोथ पोरस ग्रेफाइटचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म:

वेटेक सेमीकंडक्टर एसआयसी क्रिस्टल ग्रोथ सच्छिद्र ग्रेफाइट उत्पादने शॉप्स:

सेमीकंडक्टर चिप एपिटॅक्सी इंडस्ट्री साखळीचे विहंगावलोकन: