बातम्या

8-इंच एसआयसी एपिटॅक्सियल फर्नेस आणि होमोपीटॅक्सियल प्रक्रिया संशोधन

लेख सिलिकॉन, GaAs, SiC आणि GaN सारख्या सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट वेफर्सच्या भौतिक गुणधर्मांचे विश्लेषण करतो.

हा लेख मुख्यतः जीएएन-आधारित कमी-तापमान एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञानाचे वर्णन करतो, ज्यात जीएएन-आधारित सामग्रीची क्रिस्टल स्ट्रक्चर, 3. एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञानाची आवश्यकता आणि अंमलबजावणी सोल्यूशन्स, पीव्हीडी तत्त्वांवर आधारित निम्न-तापमान एपिटेक्सियल तंत्रज्ञानाचे फायदे आणि कमी-तापमान एपिटेक्सियल तंत्रज्ञानाच्या विकासाच्या संभाव्यतेचा समावेश आहे.