बातम्या

सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट्सच्या औद्योगिक स्तरावरील उत्पादनासाठी, एकल वाढीचे यश हे अंतिम ध्येय नाही. विविध बॅच, टूल्स आणि कालखंडात उगवलेले क्रिस्टल्स गुणवत्तेमध्ये उच्च पातळीचे सातत्य आणि पुनरावृत्तीक्षमता राखतात याची खात्री करणे हे खरे आव्हान आहे. या संदर्भात, टँटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंगची भूमिका मूलभूत संरक्षणाच्या पलीकडे जाते - प्रक्रिया विंडो स्थिर करण्यासाठी आणि उत्पादनाच्या उत्पन्नाचे रक्षण करण्यासाठी हा एक महत्त्वाचा घटक बनतो.

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) PVT वाढीमध्ये गंभीर थर्मल सायकलिंग (खोलीचे तापमान 2200 ℃ पेक्षा जास्त) समाविष्ट असते. कोटिंग आणि ग्रेफाइट सब्सट्रेट यांच्यामध्ये थर्मल एक्सपेन्शन (CTE) च्या गुणांकांमध्ये जुळत नसल्यामुळे निर्माण होणारा प्रचंड थर्मल स्ट्रेस हे कोटिंगचे आयुष्यमान आणि अनुप्रयोगाची विश्वासार्हता ठरवणारे मुख्य आव्हान आहे.

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) PVT क्रिस्टल वाढीच्या प्रक्रियेत, थर्मल फील्डची स्थिरता आणि एकसमानता थेट क्रिस्टल वाढीचा दर, दोष घनता आणि सामग्रीची एकरूपता निर्धारित करते. सिस्टीमची सीमा म्हणून, थर्मल-फील्ड घटक पृष्ठभागावरील थर्मोफिजिकल गुणधर्म प्रदर्शित करतात ज्यांचे थोडेसे चढउतार उच्च-तापमानाच्या परिस्थितीत नाटकीयरित्या वाढवले ​​जातात, ज्यामुळे शेवटी वाढीच्या इंटरफेसमध्ये अस्थिरता येते.