बातम्या

बातम्या

आमच्या कामाचे परिणाम, कंपनीच्या बातम्यांबद्दल आणि तुम्हाला वेळेवर घडामोडी आणि कर्मचारी नियुक्ती आणि काढण्याच्या अटींबद्दल माहिती देताना आम्हाला आनंद होत आहे.
सीव्हीडी उत्पन्न ५०% वरून ९०% वाढवण्यासाठी SiC कोटिंग एज पिवळ्या रंगाचे निराकरण करणे05 2026-08

सीव्हीडी उत्पन्न ५०% वरून ९०% वाढवण्यासाठी SiC कोटिंग एज पिवळ्या रंगाचे निराकरण करणे

MOCVD एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्सवर सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंगच्या कडा पिवळ्या आणि सोलण्याच्या कारणांचे सखोल विश्लेषण. VeTek ने प्रारंभिक CVD डिपॉझिशन रेट आणि फ्लो फील्ड तंतोतंत नियंत्रित करून, कोटिंगचे उत्पन्न 50% वरून 90% पर्यंत वाढवून आणि उच्च-शुद्धतेच्या ग्रेफाइट भागांचे सेवा आयुष्य वाढवून सूक्ष्म-तणाव दूर केले.
मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्समध्ये उच्च पॉकेट-टू-पॉकेट फरक कसे सोडवायचे?03 2026-08

मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्समध्ये उच्च पॉकेट-टू-पॉकेट फरक कसे सोडवायचे?

मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्समध्ये 1.4% पॉकेट-टू-पॉकेट जाडीच्या फरकाला संबोधित करताना, VeTek सेमीने ससेप्टर फ्लॅटनेस <0.08 मिमी पर्यंत सुधारित केले आणि CVD फ्लो फील्ड सिम्युलेशन आणि अल्ट्रा-प्रिसिजन सिम्युलेशनद्वारे 0.69% फरक कमी केला.
MOCVD SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर क्रॅकिंग विश्लेषण आणि थर्मल स्ट्रेस ऑप्टिमायझेशन केस स्टडी30 2026-07

MOCVD SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर क्रॅकिंग विश्लेषण आणि थर्मल स्ट्रेस ऑप्टिमायझेशन केस स्टडी

Vetek ने मोठ्या आकाराच्या MOCVD SiC-कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर्समध्ये रेडियल क्रॅकिंग कसे दूर केले ते जाणून घ्या. स्ट्रक्चरल स्ट्रेस बफर रीडिझाइन आणि CTE मॅचिंगमुळे सेवा आयु 300%+ वाढली.
4-इंच ते 8-इंच: SiC सेमीकंडक्टर वाढीचा एक दशक25 2026-07

4-इंच ते 8-इंच: SiC सेमीकंडक्टर वाढीचा एक दशक

SiC उत्क्रांतीचे दशक — सुरुवातीच्या 4-इंच व्यापारीकरणाच्या आव्हानांपासून ते आजच्या 8-इंच वेफर संक्रमणापर्यंत. CVD SiC कोटिंग्ज, सॉलिड SiC आणि TaC मटेरियल विश्वसनीय सेमीकंडक्टर उत्पादन कसे सक्षम करतात ते शोधा.
सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सीसाठी SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर का आवश्यक आहेत17 2026-07

सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सीसाठी SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर का आवश्यक आहेत

सीव्हीडी SiC-कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर्स थर्मल एकरूपता सुधारून, दूषितता कमी करून आणि SiC, GaN, LED आणि सिलिकॉन सेमीकंडक्टर उत्पादनात घटकांचे आयुष्य वाढवून एपिटॅक्सियल वाढ कशी वाढवतात ते जाणून घ्या.
TaC-कोटेड ग्रेफाइट हीटर्स GaN MOCVD Epitaxy चे भविष्य म्हणून का उदयास येत आहेत10 2026-07

TaC-कोटेड ग्रेफाइट हीटर्स GaN MOCVD Epitaxy चे भविष्य म्हणून का उदयास येत आहेत

पारंपारिक pBN-कोटेड हीटर्सच्या तुलनेत TaC-कोटेड ग्रेफाइट हीटर्स तापमानात एकरूपता कशी वाढवतात, ऊर्जेचा वापर कमी करतात आणि GaN MOCVD एपिटॅक्सीमध्ये सेवा आयुष्य कसे वाढवतात ते शोधा.
TaC कोटिंग PVT ऍप्लिकेशन्समध्ये SiC क्रिस्टल ग्रोथ कशी वाढवते03 2026-07

TaC कोटिंग PVT ऍप्लिकेशन्समध्ये SiC क्रिस्टल ग्रोथ कशी वाढवते

कार्बन दूषितता कमी करून, ग्रेफाइट घटकांचे संरक्षण करून, सेवा आयुष्य वाढवून आणि प्रगत अर्धसंवाहक उत्पादनासाठी क्रिस्टल गुणवत्ता वाढवून CVD TaC कोटिंग PVT भट्टीमध्ये SiC क्रिस्टल वाढ कशी सुधारते ते शोधा.
सेमीकंडक्टर ग्रेफाइट घटकांसाठी TaC कोटिंग ही पसंतीची निवड का होत आहे26 2026-06

सेमीकंडक्टर ग्रेफाइट घटकांसाठी TaC कोटिंग ही पसंतीची निवड का होत आहे

सेमीकंडक्टर ग्रेफाइट घटकांसाठी CVD TaC कोटिंग हे पसंतीचे संरक्षणात्मक उपाय का होत आहे ते शोधा. त्याचे फायदे, SiC क्रिस्टल ग्रोथ, GaN MOCVD आणि वेफर वाहक मधील अनुप्रयोग आणि ते टिकाऊपणा, शुद्धता आणि प्रक्रिया स्थिरता कशी सुधारते ते जाणून घ्या.
पायरोलिटिक कार्बन (PyC) लेपित ग्रेफाइट रिंग: उच्च-तापमान सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये विश्वासार्हता सुधारणे17 2026-06

पायरोलिटिक कार्बन (PyC) लेपित ग्रेफाइट रिंग: उच्च-तापमान सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये विश्वासार्हता सुधारणे

VETEK पायरोलिटिक कार्बन (PyC) लेपित ग्रेफाइट रिंग थर्मल स्थिरता कशी सुधारतात, दूषितता कमी करतात आणि SiC क्रिस्टल ग्रोथ, एपिटॅक्सी, CVD आणि उच्च-तापमान सेमीकंडक्टर प्रक्रियांमध्ये घटकांचे आयुष्य कसे वाढवतात ते जाणून घ्या.
थर्ड-जनरेशन सेमीकंडक्टरमध्ये CVD TaC 21 2026-05

थर्ड-जनरेशन सेमीकंडक्टरमध्ये CVD TaC "उच्च-तापमान चिलखत" का कोटिंग आहे

CVD TaC कोटिंग अल्ट्रा-हाय थर्मल स्थिरता, गंज प्रतिरोध, अशुद्धता दाबणे आणि MOCVD आणि एपिटॅक्सी ऍप्लिकेशन्समध्ये उत्कृष्ट कार्यप्रदर्शनासह SiC क्रिस्टल ग्रोथ आणि सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंग कसे सुधारते ते शोधा.
Aixtron G10 घटक: उच्च-कार्यक्षमता SiC Epitaxy चे मुख्य भाग16 2026-05

Aixtron G10 घटक: उच्च-कार्यक्षमता SiC Epitaxy चे मुख्य भाग

उच्च-ताप ​​SiC एपिटॅक्सी सिस्टमसाठी मुख्य Aixtron G10 घटक पहा. आम्ही CVD SiC कोटेड ग्रेफाइट भाग, TaC कोटिंग घटक आणि थर्मल फील्ड स्ट्रक्चर्स कव्हर करतो - आणि ते प्रगत सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये प्रक्रिया स्थिरता, शुद्धता नियंत्रण आणि वेफर उत्पन्नामध्ये कशी मदत करतात.
एलपीई रिॲक्शन चेंबरमध्ये हाफमून म्हणजे काय?09 2026-05

एलपीई रिॲक्शन चेंबरमध्ये हाफमून म्हणजे काय?

एलपीई रिॲक्शन चेंबरमध्ये हाफमून घटक काय आहे आणि ते थर्मल स्टेबिलिटी, गॅस फ्लो मॅनेजमेंट आणि SiC एपिटॅक्सी सिस्टीममध्ये रिॲक्टर स्ट्रक्चरला कसे समर्थन देते ते जाणून घ्या. ग्रेफाइट सामग्री, CVD SiC कोटिंग, TaC कोटिंग आणि आधुनिक सेमीकंडक्टर रिॲक्टर तंत्रज्ञान एक्सप्लोर करा.
SiC सबस्ट्रेट्स आणि प्रगत कोटिंग्जसह मायक्रोएलईडी कार्यप्रदर्शन ऑप्टिमाइझ करणे25 2026-04

SiC सबस्ट्रेट्स आणि प्रगत कोटिंग्जसह मायक्रोएलईडी कार्यप्रदर्शन ऑप्टिमाइझ करणे

MicroLED उत्पन्न दरांशी संघर्ष करत आहात? थर्मल स्ट्रेस आणि कण दूषित होण्यासाठी उद्योगातील नेते SiC सबस्ट्रेट्स आणि TaC-coated MOCVD घटकांकडे का सरकत आहेत ते शोधा. पुढील-जनरल GaN डिस्प्लेसाठी CVD SiC ची तांत्रिक बाजू जाणून घ्या
CVD SiC कोटिंग: प्रक्रिया, फायदे आणि अनुप्रयोग24 2026-04

CVD SiC कोटिंग: प्रक्रिया, फायदे आणि अनुप्रयोग

CVD SiC कोटिंगचा वापर अर्धसंवाहक प्रक्रियेमध्ये कसा केला जातो, त्याची रचना, कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्ये आणि विशिष्ट अनुप्रयोगांसह, उच्च-तापमान अनुप्रयोगांमध्ये त्याच्या प्रासंगिकतेसह ते एक्सप्लोर करा.
फॅब उत्पन्न वाढवणे: CVD सॉलिड SiC ही गंभीर चेंबर पार्ट्ससाठी अंतिम निवड का आहे18 2026-04

फॅब उत्पन्न वाढवणे: CVD सॉलिड SiC ही गंभीर चेंबर पार्ट्ससाठी अंतिम निवड का आहे

CVD सॉलिड SiC गुंतवणुकीला योग्य आहे का? मोनोलिथिक SiC विरुद्ध पारंपारिक ग्रेफाइट कोटिंग्जच्या ROI ची तुलना करा. 12-इंच HVM लाईन्ससाठी उत्कृष्ट प्लाझ्मा प्रतिरोध आणि विस्तारित MTBC कमी वेफर स्क्रॅप दर आणि उच्च उपकरणे अपटाइममध्ये कसे अनुवादित करतात ते जाणून घ्या.
CVD-SiC ची उत्क्रांती पातळ फिल्म कोटिंग्जपासून मोठ्या प्रमाणात सामग्रीपर्यंत10 2026-04

CVD-SiC ची उत्क्रांती पातळ फिल्म कोटिंग्जपासून मोठ्या प्रमाणात सामग्रीपर्यंत

सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी उच्च-शुद्धता सामग्री आवश्यक आहे. या प्रक्रियांमध्ये अति उष्णता आणि संक्षारक रसायनांचा समावेश होतो. CVD-SiC (रासायनिक वाष्प निक्षेप सिलिकॉन कार्बाइड) आवश्यक स्थिरता आणि सामर्थ्य प्रदान करते. उच्च शुद्धता आणि घनतेमुळे ते आता प्रगत उपकरणांच्या भागांसाठी प्राथमिक निवड आहे.
X
आम्ही तुम्हाला एक चांगला ब्राउझिंग अनुभव देण्यासाठी, साइट रहदारीचे विश्लेषण करण्यासाठी आणि सामग्री वैयक्तिकृत करण्यासाठी कुकीज वापरतो. ही साइट वापरून, तुम्ही आमच्या कुकीजच्या वापरास सहमती देता. गोपनीयता धोरण
नकार द्यास्वीकारा