बातम्या

सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी उच्च-शुद्धता सामग्री आवश्यक आहे. या प्रक्रियांमध्ये अति उष्णता आणि संक्षारक रसायनांचा समावेश होतो. CVD-SiC (रासायनिक वाष्प निक्षेप सिलिकॉन कार्बाइड) आवश्यक स्थिरता आणि सामर्थ्य प्रदान करते. उच्च शुद्धता आणि घनतेमुळे ते आता प्रगत उपकरणांच्या भागांसाठी प्राथमिक निवड आहे.

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सेमीकंडक्टर्सच्या जगात, बहुतेक स्पॉटलाइट 8-इंच एपिटॅक्सियल रिॲक्टर्स किंवा वेफर पॉलिशिंगच्या गुंतागुंतीवर चमकतात. तथापि, जर आपण पुरवठा शृंखला अगदी सुरुवातीस शोधून काढली तर - भौतिक वाष्प वाहतूक (पीव्हीटी) भट्टीच्या आत - एक मूलभूत "भौतिक क्रांती" शांतपणे होत आहे.

वेगवान MEMS (मायक्रो-इलेक्ट्रोमेकॅनिकल सिस्टीम्स) उत्क्रांतीच्या युगात, योग्य पायझोइलेक्ट्रिक सामग्री निवडणे हा उपकरणाच्या कार्यक्षमतेसाठी मेक-ऑर-ब्रेक निर्णय आहे. PZT (लीड झिरकोनेट टायटेनेट) पातळ-फिल्म वेफर्स हे AlN (ॲल्युमिनियम नायट्राइड) सारख्या पर्यायांपेक्षा प्रमुख पर्याय म्हणून उदयास आले आहेत, जे अत्याधुनिक सेन्सर्स आणि ॲक्ट्युएटरसाठी उत्कृष्ट इलेक्ट्रोमेकॅनिकल कपलिंग ऑफर करतात.

सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंग प्रगत प्रक्रिया नोड्स, उच्च एकात्मता आणि जटिल आर्किटेक्चर्सकडे विकसित होत असल्याने, वेफर उत्पादनासाठी निर्णायक घटकांमध्ये सूक्ष्म बदल होत आहेत. सानुकूलित सेमीकंडक्टर वेफर मॅन्युफॅक्चरिंगसाठी, उत्पन्नासाठी यशाचा बिंदू यापुढे केवळ लिथोग्राफी किंवा एचिंग सारख्या मुख्य प्रक्रियांमध्ये आहे; उच्च-शुद्धता ससेप्टर्स प्रक्रिया स्थिरता आणि सुसंगतता प्रभावित करणारे अंतर्निहित व्हेरिएबल बनत आहेत.

वाइड-बँडगॅप (WBG) सेमीकंडक्टरच्या जगात, जर प्रगत उत्पादन प्रक्रिया "आत्मा" असेल, तर ग्रेफाइट ससेप्टर "पाठीचा कणा" असेल आणि त्याच्या पृष्ठभागावरील आवरण ही गंभीर "त्वचा" असेल.

पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सच्या उच्च-स्थिर जगात, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) आणि गॅलियम नायट्राइड (GaN) इलेक्ट्रिक वाहने (EVs) पासून अक्षय ऊर्जा पायाभूत सुविधांपर्यंत क्रांती घडवून आणत आहेत. तथापि, या सामग्रीची पौराणिक कठोरता आणि रासायनिक जडत्व एक भयंकर उत्पादन अडथळे सादर करते.