सीव्हीडी टीएसी लेपित थ्री-पिटल मार्गदर्शक रिंग

सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट मटेरियल एक प्रकारची क्रिस्टल मटेरियल आहे, जी वाइड बँडगॅप सेमीकंडक्टर मटेरियलशी संबंधित आहे. यात उच्च व्होल्टेज प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च वारंवारता, कमी तोटा इ. चे फायदे आहेत. उच्च-शक्ती पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि मायक्रोवेव्ह रेडिओ फ्रिक्वेन्सी डिव्हाइस तयार करण्यासाठी ही एक मूलभूत सामग्री आहे. सध्या वाढत्या एसआयसी क्रिस्टल्सच्या मुख्य पद्धती म्हणजे भौतिक वाष्प वाहतूक (पीव्हीटी पद्धत), उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमा (एचटीसीव्हीडी पद्धत), द्रव टप्पा पद्धत इ.

भौतिक वाष्प वाहतूक (पीव्हीटी) पद्धत ही एक चांगली -स्थापित तंत्र आहे जी मोठ्या -प्रमाणात औद्योगिक उत्पादनासाठी योग्य आहे. या प्रक्रियेमध्ये, एसआयसी बियाणे क्रिस्टल क्रूसिबलच्या शीर्षस्थानी स्थित आहे, तर कच्चा माल म्हणून काम करणारे एसआयसी पावडर क्रूसिबल तळाशी ठेवले आहे. बंद वातावरणात उच्च तापमान आणि कमी दाबाच्या परिस्थितीत, एसआयसी पावडर उपशमूक करते. तापमान ग्रेडियंट आणि एकाग्रता फरकांद्वारे चालविलेल्या, उदात्त प्रजाती बियाणे क्रिस्टल जवळील प्रदेशाकडे वरच्या दिशेने जातात. एकदा सुपरसॅच्युरेटेड स्थितीत पोहोचल्यानंतर, पुनर्बांधणी होते, ज्यामुळे वाढलेल्या एसआयसी क्रिस्टल्सच्या आकार आणि विशिष्ट क्रिस्टल प्रकारावर अचूक नियंत्रण मिळते.

सीव्हीडी टीएसी लेपित तीन - पाकळ्या मार्गदर्शक रिंग एकाधिक महत्त्वपूर्ण कार्ये करते. प्रामुख्याने, हे गॅसच्या प्रवाहाचे मार्गदर्शन करून द्रव यांत्रिकी वाढवते, हे सुनिश्चित करते की क्रिस्टल ग्रोथ क्षेत्र एकसमान वातावरणास सामोरे गेले आहे. याव्यतिरिक्त, एसआयसी क्रिस्टल ग्रोथ प्रक्रियेदरम्यान ते प्रभावीपणे उष्णता नष्ट करते. योग्य तापमान ग्रेडियंट राखून, ते एसआयसी क्रिस्टल्सच्या वाढीच्या स्थितीस अनुकूल करते आणि असमान तापमान वितरणामुळे होणार्‍या क्रिस्टल दोषांचा धोका कमी करते.