उच्च शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावडर

प्रमुख वैशिष्ट्ये
• शुद्धता ९९.९९९९% पर्यंत जाऊ शकते — म्हणजे ६N

• धातूची अशुद्धता कमी ठेवली जाते

• GDMS चाचणी डेटा विनंती केल्यावर उपलब्ध आहे

• उदात्तीकरण वर्तन बॅच पासून बॅच पर्यंत सुसंगत राहते

• प्रक्रिया करताना दूषित होण्याचा धोका कमी

• कण आकार वितरण नियंत्रित आहे

• तुम्ही सानुकूलित कण आकार देखील विचारू शकता

• गुणवत्ता नियंत्रण सेमीकंडक्टर-ग्रेड मानकांचे पालन करते

कण आकार श्रेणी:

पावडर शुद्धता: 

तांत्रिक तपशील:

अर्ज

• SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ (PVT)

• प्रवाहकीय आणि अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC सबस्ट्रेट्स

• सेमीकंडक्टर साहित्य

• प्रगत सिरॅमिक्स

• संशोधन आणि विकास

VeTek सेमीकंडक्टर का निवडावे?

• प्रगत शुद्धीकरण तंत्रज्ञान

• सेमीकंडक्टर-ग्रेड गुणवत्ता नियंत्रण

• सानुकूलित कण आकार पर्याय

• स्थिर आणि विश्वसनीय पुरवठा

• क्रिस्टल ग्रोथ ऍप्लिकेशन्ससाठी तांत्रिक समर्थन