उद्योग बातम्या

सीव्हीडी टीएसी कोटिंग सब्सट्रेट (ग्रेफाइट) वर दाट आणि टिकाऊ कोटिंग तयार करण्याची प्रक्रिया आहे. या पद्धतीमध्ये उच्च तापमानात सब्सट्रेट पृष्ठभागावर टीएसी जमा करणे समाविष्ट आहे, परिणामी उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता आणि रासायनिक प्रतिकार असलेले टॅन्टलम कार्बाइड (टीएसी) लेप होते.

8 इंच सिलिकॉन कार्बाईड (एसआयसी) प्रक्रिया परिपक्व झाल्यामुळे, उत्पादक 6 इंच ते 8 इंच पर्यंतच्या शिफ्टला गती देत ​​आहेत. अलीकडे, सेमीकंडक्टर आणि रेझोनॅकवर 8 इंचाच्या एसआयसी उत्पादनावरील अद्यतने जाहीर केली.

हा लेख इटालियन कंपनी LPE च्या नवीन डिझाइन केलेल्या PE1O8 हॉट-वॉल CVD अणुभट्टीमधील नवीनतम घडामोडी आणि 200mm SiC वर एकसमान 4H-SiC एपिटॅक्सी करण्याची क्षमता सादर करतो.

पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आणि इतर क्षेत्रांमध्ये SiC सामग्रीच्या वाढत्या मागणीसह, SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ तंत्रज्ञानाचा विकास वैज्ञानिक आणि तांत्रिक नवकल्पनांचे प्रमुख क्षेत्र बनेल. SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ इक्विपमेंटचा गाभा म्हणून, थर्मल फील्ड डिझाइनकडे व्यापक लक्ष आणि सखोल संशोधन चालू राहील.

सतत तांत्रिक प्रगती आणि सखोल यंत्रणा संशोधनाद्वारे, 3C-SiC heteroepitaxial तंत्रज्ञानाने सेमीकंडक्टर उद्योगात अधिक महत्त्वाची भूमिका बजावणे आणि उच्च-कार्यक्षमतेच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासास प्रोत्साहन देणे अपेक्षित आहे.

स्थानिक एएलडी, अवकाशीयपणे वेगळ्या अणु थर जमा. वेफर वेगवेगळ्या पोझिशन्स दरम्यान फिरते आणि प्रत्येक स्थितीत वेगवेगळ्या पूर्ववर्तींच्या संपर्कात असते. खालील आकृती पारंपारिक एएलडी आणि स्थानिक वेगळ्या एएलडी दरम्यान तुलना आहे.