बातम्या

हा लेख इटालियन कंपनी LPE च्या नवीन डिझाइन केलेल्या PE1O8 हॉट-वॉल CVD अणुभट्टीमधील नवीनतम घडामोडी आणि 200mm SiC वर एकसमान 4H-SiC एपिटॅक्सी करण्याची क्षमता सादर करतो.

पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आणि इतर क्षेत्रांमध्ये SiC सामग्रीच्या वाढत्या मागणीसह, SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ तंत्रज्ञानाचा विकास वैज्ञानिक आणि तांत्रिक नवकल्पनांचे प्रमुख क्षेत्र बनेल. SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ इक्विपमेंटचा गाभा म्हणून, थर्मल फील्ड डिझाइनकडे व्यापक लक्ष आणि सखोल संशोधन चालू राहील.

सतत तांत्रिक प्रगती आणि सखोल यंत्रणा संशोधनाद्वारे, 3C-SiC heteroepitaxial तंत्रज्ञानाने सेमीकंडक्टर उद्योगात अधिक महत्त्वाची भूमिका बजावणे आणि उच्च-कार्यक्षमतेच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासास प्रोत्साहन देणे अपेक्षित आहे.

स्थानिक एएलडी, अवकाशीयपणे वेगळ्या अणु थर जमा. वेफर वेगवेगळ्या पोझिशन्स दरम्यान फिरते आणि प्रत्येक स्थितीत वेगवेगळ्या पूर्ववर्तींच्या संपर्कात असते. खालील आकृती पारंपारिक एएलडी आणि स्थानिक वेगळ्या एएलडी दरम्यान तुलना आहे.

अलीकडेच, जर्मन रिसर्च इन्स्टिट्यूट फ्रेनहॉफर आयआयएसबीने टॅन्टलम कार्बाईड कोटिंग तंत्रज्ञानाच्या संशोधन आणि विकासामध्ये एक यश मिळविले आहे आणि सीव्हीडी डिपॉझिट सोल्यूशनपेक्षा अधिक लवचिक आणि पर्यावरणास अनुकूल असलेले एक स्प्रे कोटिंग सोल्यूशन विकसित केले आहे आणि त्याचे व्यापारीकरण केले गेले आहे.

वेगवान तंत्रज्ञानाच्या विकासाच्या युगात, 3D प्रिंटिंग, प्रगत उत्पादन तंत्रज्ञानाचा एक महत्त्वाचा प्रतिनिधी म्हणून, हळूहळू पारंपारिक उत्पादनाचा चेहरा बदलत आहे. तंत्रज्ञानाची सतत परिपक्वता आणि खर्च कमी केल्याने, 3D प्रिंटिंग तंत्रज्ञानाने एरोस्पेस, ऑटोमोबाईल उत्पादन, वैद्यकीय उपकरणे आणि आर्किटेक्चरल डिझाइन यांसारख्या अनेक क्षेत्रांमध्ये व्यापक अनुप्रयोग संभावना दर्शविल्या आहेत आणि या उद्योगांच्या नवकल्पना आणि विकासास प्रोत्साहन दिले आहे.