एमओसीव्हीडीसाठी एसआयसी लेपित उपग्रह कव्हर अत्यंत उच्च तापमान प्रतिरोध, उत्कृष्ट गंज प्रतिरोध आणि थकबाकी ऑक्सिडेशन प्रतिरोधनामुळे वेफर्सवर उच्च-गुणवत्तेच्या एपिटॅक्सियल वाढ सुनिश्चित करण्यात एक अपरिवर्तनीय भूमिका निभावते.
चीनमधील एक अग्रगण्य एसआयसी कोटेड एमओसीव्हीडी उपग्रह कव्हर निर्माता म्हणून, वेटेक्सेमकॉन सेमीकंडक्टर उद्योगास उच्च कार्यक्षमता एपिटॅक्सियल प्रक्रिया समाधान प्रदान करण्यास वचनबद्ध आहे. आमचे एमओसीव्हीडी एसआयसी लेपित कव्हर्स काळजीपूर्वक डिझाइन केलेले आहेत आणि सामान्यत: उपग्रह संवेदनशील सिस्टम (एसएसएस) मध्ये वाढीचे वातावरण अनुकूलित करण्यासाठी आणि एपिटॅक्सियल गुणवत्ता सुधारण्यासाठी वेफर्स किंवा नमुन्यांना समर्थन देण्यासाठी आणि कव्हर करण्यासाठी वापरले जातात.
की साहित्य आणि संरचना
● सब्सट्रेट: एसआयसी कोटेड कव्हर सामान्यत: उच्च शुद्धता ग्रेफाइट किंवा सिरेमिक सब्सट्रेट, जसे की आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट, चांगले यांत्रिक सामर्थ्य आणि हलके वजन प्रदान करण्यासाठी बनलेले असते.
● पृष्ठभाग कोटिंग: उच्च तापमान, गंज आणि कण दूषिततेचा प्रतिकार वाढविण्यासाठी रासायनिक वाष्प जमा (सीव्हीडी) प्रक्रियेचा वापर करून एक उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड (एसआयसी) सामग्री लेपित.
● फॉर्म: सामान्यत: डिस्क-आकाराचे किंवा एमओसीव्हीडी उपकरणांच्या भिन्न मॉडेल्स (उदा. वीको, ixtron) सामावून घेण्यासाठी विशेष स्ट्रक्चरल डिझाइनसह.
एमओसीव्हीडी प्रक्रियेतील वापर आणि मुख्य भूमिकाः
एमओसीव्हीडीसाठी एसआयसी लेपित उपग्रह कव्हर प्रामुख्याने एमओसीव्हीडी एपिटॅक्सियल ग्रोथ रिएक्शन चेंबरमध्ये वापरले जाते आणि त्याच्या कार्यात हे समाविष्ट आहे:
(१) वेफर्सचे संरक्षण करणे आणि तापमान वितरण अनुकूलित करणे
एमओसीव्हीडी उपकरणांमध्ये उष्णता शिल्डिंग घटक म्हणून, ते एकसमान हीटिंग कमी करण्यासाठी आणि वाढीच्या तपमानाची एकरूपता सुधारण्यासाठी वेफरच्या परिमितीला व्यापते.
वैशिष्ट्ये: सिलिकॉन कार्बाईड कोटिंगमध्ये उच्च तापमान स्थिरता आणि थर्मल चालकता चांगली आहे (300 डब्ल्यू.एम-1-के-1), जे एपिटॅक्सियल थर जाडी आणि डोपिंग एकरूपता सुधारण्यास मदत करते.
एसआयसी कोटिंगची दाट आणि गंज-प्रतिरोधक पृष्ठभाग स्त्रोत वायू (उदा. टीएमजीए, टीएमएल, एनएचए) एमओसीव्हीडी प्रक्रियेदरम्यान सब्सट्रेटवर प्रतिक्रिया देण्यास प्रतिबंधित करते आणि कण दूषितपणा कमी करते.
वैशिष्ट्ये: त्याची कमी सोशोशन वैशिष्ट्ये जमा अवशेष कमी करतात, जीएएन, एसआयसी एपिटॅक्सियल वेफरचे उत्पन्न सुधारतात.
()) उच्च-तापमान प्रतिकार, गंज प्रतिकार, उपकरणांचे सेवा आयुष्य लांबणीवर
एमओसीव्हीडी प्रक्रियेमध्ये उच्च तापमान (> 1000 डिग्री सेल्सियस) आणि संक्षारक वायू (उदा. एनएच ₃, एच ₂) वापरले जातात. एसआयसी कोटिंग्ज रासायनिक इरोशनचा प्रतिकार करण्यासाठी आणि उपकरणांच्या देखभाल खर्च कमी करण्यासाठी प्रभावी आहेत.
वैशिष्ट्ये: थर्मल विस्ताराच्या कमी गुणांकांमुळे (4.5 × 10-6K-1), एसआयसी मितीय स्थिरता राखते आणि थर्मल सायकलिंग वातावरणात विकृती टाळते.
सीव्हीडी कोटिंग फिल्म क्रिस्टल स्ट्रक्चर ●
सीव्हीडी एसआयसी कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म
सीव्हीडी एसआयसी कोटिंगचे मूलभूत भौतिक गुणधर्म
मालमत्ता
ठराविक मूल्य
क्रिस्टल स्ट्रक्चर
एफसीसी β फेज पॉलीक्रिस्टलिन, प्रामुख्याने (111) देणारं
घनता
3.21 ग्रॅम/सेमी
कडकपणा
2500 विकर कडकपणा (500 ग्रॅम लोड)
धान्य आकार
2 ~ 10 मिमी
रासायनिक शुद्धता
99.99995%
उष्णता क्षमता
640 जे · किलो-1· के-1
उदात्त तापमान
2700 ℃
लवचिक सामर्थ्य
415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट
यंगचे मॉड्यूलस
430 जीपीए 4 पीटी बेंड, 1300 ℃
औष्णिक चालकता
300 डब्ल्यू · मी-1· के-1
थर्मल विस्तार (सीटीई)
4.5 × 10-6K-1
Mocvd उत्पादनांच्या दुकानासाठी वेटेकसेमॉनचे एसआयसी लेपित उपग्रह कव्हर:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
आम्ही तुम्हाला एक चांगला ब्राउझिंग अनुभव देण्यासाठी, साइट रहदारीचे विश्लेषण करण्यासाठी आणि सामग्री वैयक्तिकृत करण्यासाठी कुकीज वापरतो. ही साइट वापरून, तुम्ही आमच्या कुकीजच्या वापरास सहमती देता. गोपनीयता धोरण