4°बंद अक्ष p-प्रकार SiC Wafer

चीनमध्ये एक व्यावसायिक सेमीकंडक्टर निर्माता म्हणून, वेटेक सेमीकंडक्टर 4 ° बंद अक्ष पी-प्रकारSic वेफरपी-प्रकार डोपिंग कापताना आणि क्रिस्टलच्या मुख्य क्रिस्टल दिशेने (सामान्यत: सी-अक्ष) 4 एच सिलिकॉन कार्बाईड (एसआयसी) वेफर्सचा संदर्भ देते. हे उत्पादन सामान्यत: सेमीकंडक्टर इंडस्ट्री चेनमधील पॉवर इलेक्ट्रॉनिक डिव्हाइस आणि रेडिओ फ्रिक्वेन्सी (आरएफ) उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये वापरले जाते आणि त्याचे उत्कृष्ट उत्पादन फायदे आहेत.

ऑफ-अ‍ॅक्सिस कटिंगद्वारे, वेटेक सेमीकंडक्टरच्या 4 ° ऑफ अक्ष पी-टाइप एसआयसी वेफर प्रभावीपणे एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीदरम्यान व्युत्पन्न आणि दोष कमी करू शकतात, ज्यामुळे वेफरची गुणवत्ता सुधारते. याव्यतिरिक्त, 4 ° ऑफ-अ‍ॅक्सिस ओरिएंटेशन अधिक एकसमान आणि दोष-मुक्त एपिटॅक्सियल लेयर वाढविण्यात मदत करते, एपिटॅक्सियल लेयरची गुणवत्ता सुधारते आणि सामान्यत: उच्च-कार्यक्षम उपकरणांच्या निर्मितीसाठी योग्य असते.

शिवाय, VeTek सेमीकंडक्टरचे 4°ऑफ ॲक्सिस p-प्रकार SiC वेफर उत्पादने वेफरमध्ये अधिक छिद्र वाहक बनवू शकतात आणि स्वीकारक अशुद्धता (जसे की ॲल्युमिनियम किंवा बोरॉन) डोपिंग करून P-प्रकार सेमीकंडक्टर बनवू शकतात. P-प्रकार 4H-SiC वेफर्स बहुतेकदा पॉवर उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये वापरतात ज्यांना P-प्रकारचा थर आवश्यक असतो. या प्रकारच्या सेमीकंडक्टरमध्ये उत्कृष्ट विद्युत गुणधर्म आहेत.

6 एच-सिक सारख्या इतर पॉलिमॉर्फ्सच्या तुलनेत4H-SiCउच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड सामर्थ्य आहे आणि उच्च-वारंवारता आणि उच्च-शक्ती परिस्थितीसाठी ते योग्य आहे. याव्यतिरिक्त, 4 एच-एसआयसी सामग्रीमध्ये उत्कृष्ट उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-तापमान प्रतिकार आहे आणि कठोर वातावरणात सामान्यपणे कार्य करू शकते.

2 इंच 4 इंच 4° ऑफ अक्ष p-प्रकार SiC वेफर आकाराशी संबंधित मानके：

6 इंच 4° ऑफ अक्ष p-प्रकार SiC वेफर आकाराशी संबंधित मानके：

4 ° बंद अक्ष पी-प्रकार एसआयसी वेफर शोधण्याच्या पद्धती आणि शब्दावली：

VeTek सेमीकंडक्टरमध्ये आधीपासूनच 4° ऑफ अक्ष p-प्रकार 4H-SiC सबस्ट्रेट्स 2~6 इंच आहेत.सब्सट्रेट अॅल्युमिनियमने डोप केलेला आहे आणि निळा दिसतो. प्रतिरोधकता 0.1 ते 0.7ω • सेमी पर्यंत असते. 

आपल्याकडे 4 ° ऑफ एक्सस पी-टाइप एसआयसी वेफरसाठी उत्पादनांची आवश्यकता असल्यास, आमच्याशी सल्लामसलत करण्यासाठी आपले स्वागत आहे.