CVD सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपित RTP ससेप्टर

वैशिष्ट्ये

• थर्मा एकरूपता - सामग्रीचे उच्च थर्मल डिफ्युसिव्हिटी जलद, अवकाशीय एकसमान उष्णता हस्तांतरण सक्षम करते, पुनरावृत्ती करण्यायोग्य वेफर तापमान प्रोफाइलला समर्थन देते.
• उच्च शुद्धता पातळी - CVD SiC कोटिंग 99.99995% ची शुद्धता प्राप्त करते, गंभीर प्रक्रियेच्या टप्प्यांमध्ये मोबाइल आयन आणि धातू दूषित होण्याचे धोके प्रभावीपणे कमी करते.
• रासायनिक टिकाऊपणा - कोटिंग भारदस्त तापमानात हॅलोजन-आधारित वायूंसह संक्षारक प्रजातींना तीव्र प्रतिकार दर्शवते. विस्तारित सेवा अंतराल - वर्धित ऑक्सिडेशन आणि परिधान प्रतिकार कमी बदलण्यासाठी आणि कमी साधन डाउनटाइममध्ये अनुवादित करते.
• डिझाइन लवचिकता - विशिष्ट RTP चेंबर भूमिती आणि वेफर आकारांशी जुळण्यासाठी परिमाणे आणि कॉन्फिगरेशन स्वीकारले जाऊ शकतात.

अर्ज

• रॅपिड थर्मल प्रोसेसिंग (RTP)
• रॅपिड थर्मल एनीलिंग (आरटीए)
• डोपंट सक्रियकरण ऑक्सिडेशन आणि एनीलिंग चरण
• एकात्मिक सर्किट (IC) उत्पादन
• पॉवर डिव्हाइस फॅब्रिकेशन तांत्रिक
  
  

तपशील

VeTek सेमीकंडक्टर का निवडा?

• इन-हाउस CVD SiC कोटिंग प्रक्रिया विशेषतः सेमीकंडक्टर-ग्रेड आवश्यकतांसाठी विकसित केली आहे.
• ग्रेफाइट शुद्धीकरण, अचूक मशीनिंग आणि कोटिंग जाडी नियंत्रणासाठी एकात्मिक क्षमता.
• संपूर्ण बॅच उत्पादनामध्ये लेप आसंजन आणि स्तर एकसमानता सिद्ध.
• प्रमुख RTP टूल प्लॅटफॉर्मशी सुसंगत कस्टम ससेप्टर डिझाइनसाठी अभियांत्रिकी समर्थन.
• येणाऱ्या सामग्रीची कठोर तपासणी, प्रक्रियेचे निरीक्षण आणि अंतिम पात्रता चाचणी बॅच-टू-बॅच सुसंगतता सुनिश्चित करते.