एसआयसी क्रिस्टल ग्रोथ नवीन तंत्रज्ञान

Vएटेक सेमीकंडक्टरच्या एसआयसी क्रिस्टल ग्रोथ नवीन तंत्रज्ञानाने एसआयसी क्रिस्टल्सच्या वाढत्या स्त्रोताच्या रूपात सामग्रीचे रीसायकल करण्यासाठी टाकून दिलेल्या सीव्हीडी-एसआयसी ब्लॉक्सचा वापर केला आहे. सिंगल क्रिस्टल वाढीसाठी वापरलेला सीव्हीडी-एसआयसी ब्लूक आकार-नियंत्रित तुटलेल्या ब्लॉक्स म्हणून तयार केला जातो, ज्यात सामान्यत: पीव्हीटी प्रक्रियेमध्ये वापरल्या जाणार्‍या व्यावसायिक एसआयसी पावडरच्या तुलनेत आकार आणि आकारात महत्त्वपूर्ण फरक आहे, म्हणून एसआयसी सिंगल क्रिस्टल ग्रोथचे वर्तन अपेक्षित आहेकिती लक्षणीय भिन्न वर्तन.

एसआयसी सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ प्रयोग करण्यापूर्वी, उच्च वाढीचा दर मिळविण्यासाठी संगणक सिम्युलेशन केले गेले आणि एकल क्रिस्टल वाढीसाठी हॉट झोन त्यानुसार कॉन्फिगर केले गेले. क्रिस्टल वाढीनंतर, क्रॉस-सेक्शनल टोमोग्राफी, मायक्रो-रॅमन स्पेक्ट्रोस्कोपी, उच्च-रिझोल्यूशन एक्स-रे विवर्तन आणि सिंक्रोट्रॉन रेडिएशन व्हाइट-बीम एक्स-रे टोपोग्राफीद्वारे वाढलेल्या क्रिस्टल्सचे मूल्यांकन केले गेले.

✔ सीव्हीडी-एसआयसी ब्लॉक स्त्रोत तयार करा: प्रथम, आम्हाला उच्च-गुणवत्तेचे सीव्हीडी-एसआयसी ब्लॉक स्त्रोत तयार करणे आवश्यक आहे, जे सहसा उच्च शुद्धता आणि उच्च घनतेचे असते. योग्य प्रतिक्रिया परिस्थितीत हे रासायनिक वाष्प जमा (सीव्हीडी) पद्धतीने तयार केले जाऊ शकते.

✔ सब्सट्रेट तयारी: एसआयसी सिंगल क्रिस्टल वाढीसाठी सब्सट्रेट म्हणून योग्य सब्सट्रेट निवडा. सामान्यतः वापरल्या जाणार्‍या सब्सट्रेट मटेरियलमध्ये सिलिकॉन कार्बाईड, सिलिकॉन नायट्राइड इत्यादींचा समावेश आहे, ज्यात वाढत्या एसआयसी सिंगल क्रिस्टलशी चांगला सामना आहे.

✔ गरम आणि उदात्तता: सीव्हीडी-एसआयसी ब्लॉक स्रोत आणि सब्सट्रेट उच्च-तापमानाच्या भट्टीमध्ये ठेवा आणि योग्य उदात्त परिस्थिती प्रदान करा. उदात्तता म्हणजे उच्च तापमानात, ब्लॉक स्रोत थेट घन पासून वाष्प स्थितीत बदलतो आणि नंतर सब्सट्रेट पृष्ठभागावर पुन्हा कंडिशन्स एकच क्रिस्टल तयार करतो.

✔ तापमान नियंत्रण: उदात्त प्रक्रियेदरम्यान, ब्लॉक स्रोताच्या उदात्तता आणि एकल क्रिस्टल्सच्या वाढीस प्रोत्साहन देण्यासाठी तापमान ग्रेडियंट आणि तापमान वितरण अचूकपणे नियंत्रित करणे आवश्यक आहे. योग्य तापमान नियंत्रण आदर्श क्रिस्टल गुणवत्ता आणि वाढीचा दर प्राप्त करू शकते.

✔ वातावरण नियंत्रण: उदात्त प्रक्रियेदरम्यान, प्रतिक्रिया वातावरण देखील नियंत्रित करणे आवश्यक आहे. उच्च-शुद्धता जड गॅस (जसे की आर्गॉन) सामान्यत: योग्य दबाव आणि शुद्धता राखण्यासाठी आणि अशुद्धीद्वारे दूषित होण्यापासून प्रतिबंधित करण्यासाठी कॅरियर गॅस म्हणून वापरला जातो.

✔ एकल क्रिस्टल वाढ: सीव्हीडी-एसआयसी ब्लॉक स्त्रोत उदात्त प्रक्रियेदरम्यान वाष्प टप्प्यात संक्रमण होते आणि सब्सट्रेट पृष्ठभागावर एकच क्रिस्टल रचना तयार करते. एसआयसी सिंगल क्रिस्टल्सची वेगवान वाढ योग्य उदात्त परिस्थिती आणि तापमान ग्रेडियंट कंट्रोलद्वारे प्राप्त केली जाऊ शकते.