वीको एमओसीव्हीडी प्रोव्हिडन्स

हे अर्धसंवाहक आहेवीको मोकवडीवेफर स्यूससेप्टर हा एक गंभीर घटक आहे, जो अल्ट्राप्युअर ग्रेफाइट ए सह सावधपणे इंजिनियर करतोसिलिकॉन कार्बाईड (एसआयसी) कोटिंग? हेSic कोटिंगसब्सट्रेटमध्ये कार्यक्षम थर्मल ट्रान्सफर विशेषत: सक्षम करणे, असंख्य फायदे प्रदान करतात. सब्सट्रेटमध्ये इष्टतम थर्मल वितरण साध्य करणे एकसमान तापमान नियंत्रणासाठी आवश्यक आहे, सुसंगत, उच्च-गुणवत्तेचे पातळ-फिल्म जमा सुनिश्चित करणे, जे सेमीकंडक्टर डिव्हाइस फॅब्रिकेशनमध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.

तांत्रिक मापदंड

भौतिक गुणधर्मांचे मॅट्रिक्स

की निर्देशक वेटेक मानक पारंपारिक सोल्यूशन्स

बेस मटेरियल शुद्धता 6 एन आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट 5 एन मोल्डेड ग्रेफाइट

सीटीई मॅचिंग डिग्री (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ के Δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ के

थर्मल चालकता @800 ℃ 110 डब्ल्यू/एम · के 85 डब्ल्यू/एम · के

पृष्ठभाग उग्रपणा (आरए) ≤0.1μm ≥0.5μm

Acid सिड सहिष्णुता (पीएच = 1@80 ℃) 1500 चक्र 300 चक्र

कोअर फायदा पुनर्रचना

थर्मल मॅनेजमेंट इनोव्हेशन

अणु सीटीई जुळणारे तंत्र

जपान टोयो कार्बन ग्रेफाइट/एसजीएल सब्सट्रेट + ग्रेडियंट एसआयसी कोटिंग

थर्मल सायकलचा ताण 82% ने कमी झाला (क्रॅक न करता 1400 ℃↔rt 500 चक्र मोजले)

बुद्धिमान थर्मल फील्ड डिझाइन

12-झोन तापमान नुकसान भरपाईची रचना: ± 200 मिमी वेफरच्या पृष्ठभागावर ± 0.5 ℃ एकसारखेपणा प्राप्त होते

डायनॅमिक थर्मल प्रतिसाद: तापमान ग्रेडियंट ≤1.2 ℃/सेमी 5 ℃/एस हीटिंग रेट

रासायनिक संरक्षण प्रणाली
तिहेरी संमिश्र अडथळा

50μm दाट sic मुख्य संरक्षक थर

नॅनोटॅक संक्रमण स्तर (पर्यायी)

गॅस फेज घुसखोरीची घनता

एएसटीएम जी 31-21 द्वारे सत्यापित:

सीएल बेस गंज दर <0.003 मिमी/वर्ष

एनएच 3 धान्य सीमा गंजशिवाय 1000 एचसाठी उघडकीस आले

बुद्धिमान उत्पादन प्रणाली

डिजिटल ट्विन प्रक्रिया

पाच-अक्ष मशीनिंग सेंटर: स्थिती अचूकता ± 1.5μm

ऑनलाईन 3 डी स्कॅनिंग तपासणी: 100% पूर्ण आकाराची पडताळणी (एएसएमई वाय 14.5 नुसार)

परिस्थिती-आधारित मूल्य सादरीकरण

तृतीय पिढी सेमीकंडक्टर मास उत्पादन

अनुप्रयोग परिदृश्य प्रक्रिया पॅरामीटर्स ग्राहक लाभ

गॅन हेमटी 6 इंच /150μ मी एपिटॅक्सियल द्विमितीय इलेक्ट्रॉन गॅस घनता चढ-उतार <2%

एसआयसी मॉसफेट सी डोपिंग एकसारखेपणा ± 3% थ्रेशोल्ड व्होल्टेज विचलन 40% ने कमी केले आहे

मायक्रो एलईडी तरंगलांबी एकसमानता ± 1.2 एनएम चिप बिन दर 15% वाढला

देखभाल खर्च ऑप्टिमायझेशन

साफसफाईचा कालावधी 3 वेळा वाढविला जातो: एचएफ: एचएनओ ₃ = 1: 3 उच्च तीव्रतेची साफसफाई समर्थित आहे

स्पेअर पार्ट्स लाइफ पूर्वानुमान प्रणाली: एआय अल्गोरिदम अचूकता ± 5%

वेटेक सेमीकंडक्टर व्होइको एमओसीव्हीडी सॉससेप्टर शॉप्स: