मुख्य निष्कर्ष:योग्य CVD SiC, TaC कोटिंग किंवा सॉलिड SiC निवडल्याने एपिटॅक्सी/एचिंग लाईन्सवर कणांची पातळी आणि घटकांचे आयुष्यमान थेट निर्धारित होते. हा लेख आपल्याला जलद निर्णय घेण्यास आणि जोखीम कमी करण्यात मदत करण्यासाठी, मुख्य उपकरणे बदलण्याचे उपाय आणि मुख्य मेट्रिक्ससह जुळलेल्या तापमान, वातावरण आणि प्रक्रियेनुसार स्पष्ट निवड सीमा प्रदान करतो.

GaN MOCVD प्रक्रियेमध्ये, ग्रेफाइट-आधारित SiC-कोटेड ससेप्टर्स सामान्यत: NH₃/H₂ वातावरणात 1100°C वर शेकडो तास स्थिरपणे काम करू शकतात; तथापि, थर्मल फील्ड गैर-एकरूपतेमुळे, काठ आणि मध्यवर्ती प्रदेशांमधील कोटिंग आजीवन फरक 50% पेक्षा जास्त असू शकतो. SiC PVT क्रिस्टल वाढीच्या प्रक्रियेत, जेव्हा तापमान 1600°C पेक्षा जास्त होते, तेव्हा SiC कोटिंग उदात्त आणि विघटित होण्यास सुरुवात होते, ज्यासाठी TaC कोटिंग किंवा सॉलिड SiC सोल्यूशनवर स्विच करणे आवश्यक असते. चुकीचे घटक सामग्री निवडण्याचे परिणाम - सर्वोत्तम, दर 2-3 महिन्यांनी उपभोग्य वस्तू बदलणे; सर्वात वाईट म्हणजे, कण दूषित झाल्यामुळे वेफर्सच्या संपूर्ण भट्टीचा भंगार. हा लेख VeTek सेमीकंडक्टर तांत्रिक संघाने (डॉ. Xiao यांच्या मार्गदर्शनाखाली) लिहिलेला आहे, ज्याचे उद्दिष्ट “उपकरणे मॉडेल → प्रक्रिया परिस्थिती → घटक निवड → आजीवन अपेक्षा” ची पद्धतशीर निर्णय फ्रेमवर्क स्थापित करणे आहे, ज्यामुळे तुम्हाला सामग्री, कण नियंत्रित करणे आणि त्यांचे मूल्यांकन करण्यात त्वरीत मदत होईल.

1. प्रक्रियेच्या अटींवर आधारित SiC कोटिंग, TaC कोटिंग किंवा सॉलिड SiC कसे निवडायचे?

मुख्य निष्कर्ष:"तापमान → वातावरण → प्रक्रिया प्रकार" च्या तीन आयामांसह निर्णय घ्या: ≤1600°C वर CVD SiC कोटिंगला प्राधान्य द्या; >2000°C किंवा जोरदार संक्षारक वातावरणासाठी TaC निवडा; एचिंग आणि अति-उच्च स्वच्छतेच्या परिस्थितीसाठी सॉलिड SiC ला प्राधान्य द्या.

वास्तविक उत्पादन लाइन निवडताना, अभियंते बहुतेकदा विचारतात: "माझ्या Aixtron/Veeco उपकरणांसाठी, GaN किंवा SiC एपिटॅक्सी चालवताना, कोणत्या तापमानात आणि कोणत्या वातावरणात, मी कोणते कोटिंग वापरावे?" उत्तर क्लिष्ट नाही, परंतु तीन आयाम एकमेकांशी जोडले जाणे आवश्यक आहे.

तापमान विंडो ही पहिली उंबरठा आहे

CVD SiC कोटिंग अजूनही अंदाजे 2000-2100°C च्या खाली स्ट्रक्चरल अखंडता राखू शकते. या श्रेणीच्या पलीकडे, विसंगत बाष्पीभवन (प्राधान्य सिलिकॉन वाष्पीकरण) होते, ज्यामुळे पृष्ठभाग खडबडीत होते आणि कण वाढतात. TaC कोटिंगचा वितळण्याचा बिंदू 3880°C इतका असतो आणि PVT क्रिस्टल वाढीच्या वातावरणात 2400°C पेक्षा जास्त तापमानातही ते अत्यंत कमी बाष्प दाब राखू शकते. सॉलिड SiC मध्ये कोटिंग-सब्सट्रेट इंटरफेस समस्या नाहीत आणि वारंवार थर्मल शॉकच्या अधीन असलेल्या चेंबरच्या घटकांना एचिंगसाठी योग्य आहे.

वातावरण आणि संक्षारकता कोटिंगची रासायनिक स्थिरता ठरवतात

NH₃, H₂ किंवा क्लोरीन-आधारित वायू असलेल्या वातावरणात, SiC कोटिंग चांगली कामगिरी करते, परंतु उच्च-तापमान हायड्रोजनद्वारे SiC चा गंज दर TaC पेक्षा लक्षणीय आहे. प्रायोगिक डेटा दर्शवितो की उच्च-तापमान अमोनियामध्ये TaC चा गंज दर SiC च्या 1/6 इतका आहे आणि हायड्रोजनमध्ये तो 1/10 इतकाही कमी असू शकतो. म्हणून, SiC epitaxy किंवा GaN MOCVD साठी मानक परिस्थिती बहुतेक SiC कोटिंग वापरतात, तर उच्च-गंज किंवा अति-उच्च-तापमान परिस्थिती TaC वर स्विच करणे आवश्यक आहे.

प्रक्रिया प्रकार आणि घटक कार्य जुळणी

• GaN MOCVD / Si epitaxy: उच्च-शुद्धता ग्रेफाइट + CVD SiC कोटेड ससेप्टर, प्रीहीट रिंगला प्राधान्य द्या

• SiC PVT क्रिस्टल ग्रोथ: ग्रेफाइट हॉट-झोन घटकांसाठी TaC कोटिंगची जोरदार शिफारस करा

• प्लाझ्मा एचिंग (फोकस रिंग इ.): कणांच्या गरजा आणि खर्चावर अवलंबून, घन SiC किंवा SiC-कोटेड ग्रेफाइट दोन्ही शक्य आहे.

• चेंबरचे गंभीर भाग कणांसाठी अत्यंत संवेदनशील: कोटिंग इंटरफेस नसलेल्या सॉलिड SiC ला प्राधान्य द्या

आकृती 1 – VeTek मुख्य उत्पादन शोकेस

2. Aixtron/Veeco Graphite Susceptor Compatibility आणि Custom Replacement Solutions

मुख्य निष्कर्ष:VeTek ग्राहकांच्या रेखाचित्रे किंवा मूळ स्पेअर पार्ट्सवर आधारित 1:1 सानुकूलनास समर्थन देते, Aixtron G10, Veeco K465i, ASM Epsilon, इत्यादी प्रमुख प्लॅटफॉर्म कव्हर करते. मानक उत्पादने त्वरीत पाठविली जाऊ शकतात; सानुकूल भागांना सामान्यतः 3-6 आठवडे लागतात.

बऱ्याच अभियंत्यांना "ते बनवता येईल की नाही" याची चिंता असते, परंतु "ते मूळ भागांइतके स्थिर असू शकते की नाही, नियंत्रण करण्यायोग्य लीड टाइमसह आणि संपूर्ण तपासणी अहवाल उपलब्ध असतात." VeTek च्या मुख्य क्षमतांपैकी एक म्हणजे प्रमुख उपकरण ब्रँडशी सुसंगत राहून रेखाचित्रांनुसार पूर्ण सानुकूलित करणे.

मुख्य उपकरणे सुसंगतता द्रुत संदर्भ

खालील सारणी थेट अंतर्गत तांत्रिक पुनरावलोकन किंवा खरेदी मूल्यमापनासाठी वापरली जाऊ शकते:

वास्तविक प्रकल्पांमध्ये, आम्हाला अनेकदा ग्राहकांकडून मूळ सुटे भाग किंवा CMM रेखाचित्रे मिळतात. तांत्रिक संघ, थर्मल फील्ड जुळणी आणि मितीय सहिष्णुतेची पुष्टी केल्यानंतर, सब्सट्रेटची शुद्धता, कोटिंगची जाडी आणि पृष्ठभागाच्या खडबडीबद्दल शिफारसी प्रदान करेल आणि ग्राहकांच्या ऑन-टूल पडताळणीसाठी नमुने पुरवेल.

3. CVD SiC कोटिंग जाडी एकरूपता आणि कण नियंत्रणासाठी मुख्य मेट्रिक्स

मुख्य निष्कर्ष:±5% च्या आत नियंत्रित जाडीची एकसमानता, सैद्धांतिक मूल्याच्या जवळ घनता आणि नियंत्रण करण्यायोग्य पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा हे पावडर शेडिंग आणि कण दूषित होण्याचे मुख्य घटक आहेत. GDMS/ICP-OES द्वारे ट्रॅक केलेल्या गंभीर धातूच्या अशुद्धतेसह शुद्धता लक्ष्य 5 ppm पेक्षा कमी आहे.

कण समस्या हे जवळजवळ प्रत्येक एपिटॅक्सी अभियंताचे दुःस्वप्न असतात. एकदा कोटिंगमध्ये स्थानिक पातळ ठिपके, छिद्र किंवा सूक्ष्म क्रॅक झाल्यानंतर, पावडर वारंवार थर्मल सायकलिंग आणि संक्षारक वायूच्या झटक्याने खाली जाईल, ज्यामुळे वेफर दोष घनता थेट वाढेल.

जाडी आणि एकसमानता

ठराविक CVD SiC कोटिंगची जाडी 100-200 μm असते. प्रक्रिया मापदंड आणि प्रवाह क्षेत्र नियंत्रणाद्वारे, VeTek जाडीची एकसमानता ±5% च्या आत स्थिर करते. 1000 पेक्षा जास्त थर्मल शॉक सायकलनंतर (खोलीचे तापमान ↔ 1100°C), कोटिंग कोणतेही विघटन दर्शवत नाही आणि कण दोष ≤0.1/cm² ची कठोर GaN MOCVD आवश्यकता पूर्ण करू शकते.

शुद्धता आणि तपासणी

कोटिंग आणि घटकांची एकूण शुद्धता 5 ppm पेक्षा कमी असू शकते, काही उत्पादने 99.99995% पर्यंत पोहोचतात. Fe आणि Ni सारख्या गंभीर अशुद्धता नियंत्रणीय स्तरावर राहतील याची खात्री करण्यासाठी आम्ही ट्रेस मेटल विश्लेषणासाठी ICP-OES आणि GDMS वापरतो, एपिटॅक्सियल लेयर डोपिंग किंवा वाहक एकाग्रतेमध्ये हस्तक्षेप टाळतो.

घनता आणि पृष्ठभागाची स्थिती

CVD प्रक्रियेद्वारे तयार झालेल्या β-SiC पॉलीक्रिस्टलाइन लेयरची घनता सैद्धांतिक मूल्याच्या जवळ असते (अंदाजे 3.21 g/cm³) अत्यंत कमी सच्छिद्रतेसह. कण निर्मितीचा स्रोत होण्याचे टाळून पुरेसे यांत्रिक इंटरलॉकिंग सुनिश्चित करून, ग्राहक प्रक्रियेच्या आवश्यकतांनुसार पृष्ठभाग खडबडीतपणा (Ra) समायोजित केला जाऊ शकतो.

आकृती 2 – CVD SiC कोटिंगसाठी GDMS तपासणी अहवाल

4. केस स्टडी: कोटिंग उत्पादन 50% वरून 90% पर्यंत सुधारण्यासाठी एज यलोंगचे निराकरण करणे

मुख्य निष्कर्ष:सूक्ष्म-तणाव दूर करण्यासाठी प्रारंभिक डिपॉझिशन रेट आणि फ्लो फील्ड तंतोतंत नियंत्रित करून, VeTek ने ग्राहकाच्या MOCVD ग्रेफाइट ससेप्टरचे कोटिंग उत्पन्न सुमारे 50% ते 90% पर्यंत सुधारले आणि सेवा जीवन लक्षणीयरीत्या वाढवले.

प्रॉडक्शन लाइनवर घडलेली ही खरी कहाणी आहे. ग्राहकाने काही ग्रेफाइट ससेप्टर्सवर कडा पिवळी पडण्याची आणि सोलण्याची प्रवृत्ती नोंदवली, ज्यामुळे बॅचचे एकूण कोटिंग उत्पन्न 50% च्या आसपास दीर्घकाळापर्यंत फिरते, उच्च लाइन देखभाल खर्च आणि वेफर जोखीम.

डॉ. जिओ यांच्या नेतृत्वाखालील तांत्रिक टीमने हस्तक्षेप केल्यानंतर, दोन दिशांवर लक्ष केंद्रित केले गेले: प्रथम, प्रारंभिक टप्प्यात जमा होण्याचा दर खूप वेगवान होता, ज्यामुळे कोटिंगमध्ये अंतर्गत ताण जमा झाला; दुसरे, किनारी आणि मध्यभागी असलेल्या प्रदेशांमधील प्रवाह क्षेत्राच्या फरकांमुळे स्थानिक जाडी किंवा जाडी कमी होते. MTS/H₂ गुणोत्तर, डिपॉझिशन तापमान प्रोफाइल आणि फिक्स्चर फ्लो फील्ड डिझाइन ऑप्टिमाइझ करून, सूक्ष्म-तणाव प्रभावीपणे सोडले गेले. शेवटी, त्या बॅचचे कोटिंग उत्पन्न आणि त्यानंतरचे उत्पादन 90% च्या वर स्थिर झाले, ग्राहकाचे बदलण्याचे चक्र स्पष्टपणे वाढवले ​​गेले आणि कणांच्या तक्रारी लक्षणीयरीत्या कमी झाल्या.

हे प्रकरण दर्शविते: "कोट करण्यास सक्षम असणे" हा केवळ प्रारंभिक बिंदू आहे; "स्थिरपणे कोटिंग, दीर्घकाळ टिकणारे, आणि कण नियंत्रित करणे" हे खरे मूल्य अभियंते आहे. डेटा कोणत्याही जाहिरातीपेक्षा मोठ्याने बोलतो.

आकृती 3 – उच्च-शुद्धता CVD सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर एकसमान पृष्ठभाग रंग आणि दोष नाही

5. सॉलिड SiC आणि कोटेड ग्रेफाइट भाग आणि लागू परिस्थिती यांच्यातील फरक

मुख्य निष्कर्ष:लेपित ग्रेफाइट भागांची किंमत कमी आणि जलद थर्मल प्रतिसाद असतो, बहुतेक एपिटॅक्सी ससेप्टर्ससाठी योग्य; सॉलिड SiC मध्ये इंटरफेस जोखीम आणि मजबूत प्लाझ्मा प्रतिरोध नाही, उच्च-आवश्यकता नक्षीकाम घटक आणि अति-दीर्घ जीवनकाल परिस्थितींसाठी योग्य.

बऱ्याच निवड बैठकांमध्ये संघर्ष होतो: आपण कोटेड ग्रेफाइट वापरावे की थेट सॉलिड SiC वर जावे? दोन फक्त "कोणते चांगले आहे" बद्दल नाही तर अनुप्रयोग परिस्थिती आणि मालकीची एकूण किंमत (TCO) यांच्यातील व्यापार-बंद आहेत.

लेपित ग्रेफाइट भागांचे फायदे:उच्च सब्सट्रेट थर्मल चालकता, जलद उष्णता-अप, नियंत्रणीय खर्च; कोटिंग रासायनिक अडथळा आणि कण दडपशाही प्रदान करते. उच्च थर्मल एकरूपता आवश्यक असलेल्या मोठ्या आकाराच्या GaN/SiC एपिटॅक्सी ससेप्टर्ससाठी योग्य.

सॉलिड एसआयसीचे फायदे:कोटिंग-सबस्ट्रेट इंटरफेस नसलेले मोनोलिथिक β-SiC, डिलेमिनेशन धोका नाही; शुद्धता 5N–7N पर्यंत पोहोचू शकते, प्लाझ्मा इरोशनला उत्कृष्ट प्रतिकार, फोकस रिंग्स आणि शॉवरहेड्स सारख्या गंभीर कोरीव कामासाठी योग्य, 2000+ तासांपर्यंत आयुष्यभर.

6. घटक पूर्ण जीवनचक्र व्यवस्थापन आणि स्वच्छता आणि पुनर्जन्माचे मूल्य

मुख्य निष्कर्ष:इंस्टॉलेशन मॉनिटरिंग आणि विसंगती चेतावणीपासून व्यावसायिक साफसफाई आणि पुनर्जन्मापर्यंत, बंद-लूप व्यवस्थापन तयार केल्याने TCO लक्षणीयरीत्या कमी होऊ शकते आणि नवीन भाग खरेदीची वारंवारता कमी होऊ शकते. VeTek Aixtron/Veeco आणि इतर उपकरणांसाठी समर्पित स्वच्छता सेवा प्रदान करते.

अनेक कारखाने लेपित भागांना "वापर-आणि-काढून टाका" उपभोग्य वस्तू मानतात. प्रत्यक्षात, व्यावसायिक साफसफाई आणि पुनरुत्पादनानंतर, घटकांचा बराचसा भाग कण पातळीवर पुनर्संचयित केला जाऊ शकतो आणि नवीन भागांच्या जवळ थर्मल कार्यप्रदर्शन केले जाऊ शकते, विशेषत: एक्सट्रॉन आणि वीको प्लॅटफॉर्मसाठी ससेप्टर्स आणि प्रीहीट रिंग्स.

एक साधा लाइफसायकल लॉग स्थापित करण्याची शिफारस केली जाते: रेकॉर्ड इंस्टॉलेशन वेळ, संचयी ऑपरेटिंग तास, प्रत्येक साफसफाईनंतर पृष्ठभागाची स्थिती आणि कण चाचणी परिणाम. जेव्हा कोटिंग स्पष्टपणे पिवळसरपणा, स्थानिक विघटन किंवा कणांपेक्षा जास्त वाढ दर्शविते तेव्हाच, भावनांच्या आधारावर अकाली स्क्रॅप करण्याऐवजी बदलण्याचा निर्णय सुरू केला पाहिजे.

आकृती 4 – CVD SiC कोटिंग ग्रेफाइट पार्ट्स क्लीनिंग सेवा

7. पुरवठादार मूल्यांकन गुण आणि VeTek सेवा क्षमता

मुख्य निष्कर्ष:ISO9001 प्रणाली, संपूर्ण तपासणी अहवाल (GDMS/ICP-OES), नमुना समर्थन, लीड-टाइम विश्वसनीयता आणि इंग्रजी तांत्रिक संप्रेषण क्षमता यावर लक्ष केंद्रित करा. VeTek कडे 24/7 समर्थन आणि परदेशातील ग्राहक सेवा अनुभव आहे.

आंतरराष्ट्रीय ग्राहक किंवा कठोर पुरवठादार पात्रता आवश्यकता असलेल्या कारखान्यांसाठी, खालील मुद्दे विशेषतः गंभीर आहेत:

• गुणवत्ता प्रणाली: ISO9001, प्रक्रिया नियंत्रित आणि शोधण्यायोग्य.

• तपासणी क्षमता: कोटिंग आणि सब्सट्रेटसाठी संपूर्ण सामग्री विश्लेषण अहवाल प्रदान करा.

• नमुने आणि आघाडी वेळ: समर्थन नमुना मूल्यांकन; मानक उत्पादने त्वरीत पाठविली जातात, सानुकूल भाग विशेषत: 3-6 आठवडे, तातडीच्या ऑर्डर वाटाघाटीनंतर जलद केल्या जाऊ शकतात.

• तांत्रिक संप्रेषण: विक्री आणि अभियांत्रिकी संघ दोन्ही इंग्रजीमध्ये अस्खलितपणे संवाद साधू शकतात, ज्यामुळे परदेशी ग्राहकांसाठी संवादाचा खर्च कमी होतो.

• विक्रीनंतरचा प्रतिसाद: जेव्हा कोटिंग किंवा घटक विसंगती दर्शवतात तेव्हा तांत्रिक समर्थन आणि अपयश विश्लेषण सहाय्य प्रदान करा.

आकृती 5 – VeTek उत्पादन ऑर्डर पूर्ण प्रक्रिया

8. वारंवार विचारले जाणारे प्रश्न

(1). रेखांकनांवर आधारित उत्पादन पूर्ण सानुकूलनास समर्थन देते का? कोणती प्रमुख उपकरणे जुळू शकतात?

होय. Aixtron G10, Veeco, ASM, AMEC, TEL सारख्या प्लॅटफॉर्मशी सुसंगत ससेप्टर, प्रीहीट रिंग, डायव्हर्शन रिंग, हाफमून, फोकस रिंग इ. सानुकूलित करू शकते.

(2). शुद्धतेची हमी कशी दिली जाते? धातूची अशुद्धता कोणत्या स्तरावर नियंत्रित केली जाते?

कोटिंग आणि घटकांची शुद्धता 5 ppm पेक्षा कमी असू शकते, काही 99.99995% पर्यंत पोहोचतात. ICP-OES, GDMS आणि इतर उपकरणे ट्रेस विश्लेषणासाठी वापरली जातात, संपूर्ण अहवाल प्रदान केले जातात.

(3). CVD SiC/TaC कोटिंग्सच्या जाडीची एकसमानता आणि सेवा आयुष्याबद्दल काय?

जाडीची एकसमानता सामान्यत: ±5%, जाडी 100-200 μm च्या आत नियंत्रित केली जाते. योग्य प्रक्रिया विंडो अंतर्गत, GaN MOCVD ससेप्टर लाइफटाइम 500-1000 तासांच्या श्रेणीपर्यंत पोहोचू शकतो; अति-उच्च-तापमान परिस्थितीसाठी TaC किंवा सॉलिड SiC वर स्विच करणे आवश्यक आहे.

(4). नमुना चाचणी समर्थित आहे का? बल्क ऑर्डरसाठी विशिष्ट लीड टाइम काय आहे?

नमुना मूल्यांकन समर्थित आहे. मानक उत्पादने त्वरीत पाठविली जाऊ शकतात; सानुकूल भाग सामान्यतः 3-6 आठवडे घेतात, डिझाइनची जटिलता आणि व्हॉल्यूम यावर अवलंबून. वाटाघाटी केल्यावर तातडीचे आदेश जलद केले जाऊ शकतात.

(5). कोणती गुणवत्ता प्रणाली प्रमाणपत्रे उपलब्ध आहेत? तपासणी अहवाल आणि विक्रीनंतरचे समर्थन प्रदान केले जाऊ शकते?

ISO9001 गुणवत्ता व्यवस्थापन प्रणाली कार्यरत आहे. साहित्य आणि कोटिंग विश्लेषण अहवाल 24/7 ऑनलाइन तांत्रिक समर्थनासह प्रदान केले जाऊ शकतात. परदेशी ग्राहकांसाठी इंग्रजी संप्रेषण अखंड आहे.

9. सारांश आणि पुढील पायऱ्या

निवड कधीही "सर्वात महाग निवडणे" किंवा "सर्वात जाड निवडणे" बद्दल नसते, परंतु "तुमच्या उपकरणे, प्रक्रिया विंडो आणि कण बजेट अंतर्गत कार्यप्रदर्शन आणि खर्चाच्या सर्वोत्तम संतुलनासह समाधान शोधणे" बद्दल असते. आम्हाला आशा आहे की हे हँडबुक तुम्हाला निर्णयाची चौकट त्वरीत स्थापित करण्यात मदत करेल: प्रथम तापमान आणि वातावरण पहा, नंतर कोटिंग किंवा सॉलिड SiC शी जुळवा आणि शेवटी डेटासह आजीवन आणि कण कार्यप्रदर्शन सत्यापित करा.

तुम्ही Aixtron, Veeco किंवा इतर प्लॅटफॉर्मवर ससेप्टर्स, प्रीहीट रिंग्स किंवा हॉट-झोन घटकांसाठी रिप्लेसमेंट सोल्यूशन्सचे मूल्यांकन करत असल्यास, VeTek तांत्रिक टीमशी थेट संपर्क साधण्यासाठी तुमचे स्वागत आहे. आम्ही तुमच्या रेखाचित्रे किंवा विद्यमान स्पेअर पार्ट्सवर आधारित सानुकूलित शिफारसी, नमुना समर्थन आणि संपूर्ण तपासणी अहवाल प्रदान करू शकतो. डॉ. Xiao आणि अभियांत्रिकी कार्यसंघ तुमच्याशी कधीही थर्मल फील्ड ऑप्टिमायझेशन किंवा विशेष संरचना विकास गरजा यावर चर्चा करण्यास तयार आहेत.

उत्पादन तपशील आणि अधिक तांत्रिक माहितीसाठी, कृपयाआमच्याशी संपर्क साधा.

मुख्य संदर्भ आणि डेटा स्रोत

1. VeTek सेमीकंडक्टर अंतर्गत अभियांत्रिकी डेटा — GaN MOCVD प्रक्रियेअंतर्गत 500-1000 तासांचा SiC-कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर आजीवन, कोटिंग उत्पन्न 50% वरून 90% पर्यंत सुधारले आहे धार पिवळी, आणि इतर व्यावहारिक प्रकरणे सोडवल्यानंतर [1].

2. T/CASME 2000-2025 सेमिकंडक्टर एपिटॅक्सीसाठी सिलिकॉन कार्बाइड कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर्ससाठी तांत्रिक तपशील — उच्च-शुद्धता असलेल्या आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट सब्सट्रेट्सवर सीव्हीडी प्रक्रियेद्वारे तयार केलेल्या SiC-कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टर्ससाठी तांत्रिक आवश्यकता निर्दिष्ट करते, सेमीकंडक्ट उत्पादनांना लागू.

3. T/CASME 2085-2025 सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथसाठी टँटलम कार्बाइड कोटेड उत्पादनांसाठी तांत्रिक तपशील — SiC क्रिस्टल वाढीच्या परिस्थितीत TaC-कोटेड ग्रेफाइट उत्पादनांसाठी तांत्रिक तपशील.

4. नाकामुरा एट अल., "ग्रेफाइट सब्सट्रेट्सवर सिंटर्ड टँटलम कार्बाइड कोटिंग्स: मोठ्या प्रमाणात आणि एपिटॅक्सियल वाढीसाठी अत्यंत विश्वसनीय संरक्षणात्मक कोटिंग्स," अप्लाइड फिजिक्स लेटर्स, व्हॉल. 106, 082108, 2015. — TaC कोटिंग्स उच्च तापमान (>2000°C) आणि जोरदार संक्षारक वातावरणात ग्रेफाइट सब्सट्रेट्सचे प्रभावीपणे संरक्षण करू शकतात याची पुष्टी करते, SiC कोटिंग्जसह एक स्पष्ट कार्यप्रदर्शन सीमा तयार करते.

5. वांग एट अल., "Carbonized बफर लेयरचा SiC वरील SiC च्या वाढीवर परिणाम," क्रिस्टल ग्रोथ जर्नल, व्हॉल. 199, pp. 564–567, 1999. - SICC CVD वाढ प्रक्रियेत बफर लेयर इफेक्ट्स आणि पृष्ठभाग आकारविज्ञान नियंत्रणावर चर्चा करते, स्कोपस आणि वेब ऑफ सायन्स द्वारे अनुक्रमित.

टीप: मजकूरातील आजीवन आणि कार्यप्रदर्शन डेटा विशिष्ट संदर्भ मूल्ये आहेत. वास्तविक कार्यप्रदर्शन विशिष्ट प्रक्रिया परिस्थिती, उपकरणांची स्थिती आणि देखभाल पातळी यांच्यावर परिणाम होतो. कृपया प्रत्यक्ष मोजमापांसह पडताळणी करा.

लेखक:VeTek सेमीकंडक्टर तांत्रिक अभियांत्रिकी संघ (डॉ. जिओ यांच्या मार्गदर्शनाखाली पूर्ण)

पुढील तांत्रिक चर्चा किंवा नमुना मूल्यमापनासाठी, कृपया अधिकृत वेबसाइटद्वारे आमच्याशी संपर्क साधा.