SiC क्रिस्टल वाढीसाठी उच्च शुद्धता SiC पावडर

1. प्रमुख वैशिष्ट्ये

· उच्च शुद्धता पातळी:शुद्धता क्षमता 99.9999% (6N ग्रेड) पर्यंत पोहोचते.

· अल्ट्रा-लो मेटॅलिक अशुद्धता:कमीत कमी ट्रेस मेटल दूषितता SiC क्रिस्टल वाढीसाठी ऑप्टिमाइझ केली आहे.

· पूर्ण पारदर्शकता:संपूर्ण GDMS (ग्लो डिस्चार्ज मास स्पेक्ट्रोमेट्री) चाचणी डेटा प्रत्येक बॅचसाठी उपलब्ध आहे.

· स्थिर थर्मल कामगिरी:पीव्हीटीच्या वाढीदरम्यान उच्च अंदाज आणि एकसमान उदात्तीकरण वर्तन.

· नियंत्रित कण आकार वितरण:सातत्यपूर्ण पॅकिंग घनता राखण्यासाठी ग्रॅन्युलोमेट्रीचे काळजीपूर्वक परीक्षण केले जाते.

· अनुरूप फॉर्म्युलेशन:विनंतीनुसार सानुकूल कण आकार आणि वितरण वक्र उपलब्ध.

· सेमीकंडक्टर गुणवत्ता मानक:सेमीकंडक्टर-ग्रेड गुणवत्ता व्यवस्थापन प्रणाली अंतर्गत कठोरपणे उत्पादित.

2. उत्पादन व्हिज्युअल

3. तांत्रिक तपशील

4. अर्ज

· PVT SiC क्रिस्टल ग्रोथ:प्रवाहकीय आणि अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC इंगॉट्स.

· सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट्स:वेफर सब्सट्रेट आणि एपिटॅक्सियल प्रोसेसिंग कच्चा माल.

· हाय-एंड थर्मल घटक:प्रगत सिरेमिक घटक आणि ससेप्टर कोटिंग्स.

· संशोधन आणि विकास अनुप्रयोग:पुढील पिढीचे पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स संशोधन आणि उच्च-वारंवारता उपकरणे.

5. VeTek सेमीकंडक्टर का निवडावे?

· मालकीचे शुद्धीकरण:एकल-क्रिस्टल वाढीसाठी 6N पर्यंत शुद्धता वितरीत करणारी प्रगत शुद्धीकरण तंत्रे.

· कठोर गुणवत्ता नियंत्रण:कठोर सेमीकंडक्टर-ग्रेड दूषित नियंत्रणासह समर्पित गुणवत्ता आश्वासन.

सानुकूलन लवचिकता:वेगवेगळ्या PVT फर्नेस क्रूसिबल वैशिष्ट्यांमध्ये बसण्यासाठी लवचिक कस्टम कण आकारमान.

· स्थिर पुरवठा साखळी:स्थिर दीर्घकालीन मोठ्या प्रमाणावर उत्पादन वितरणाची हमी देणारी विश्वसनीय पुरवठा क्षमता.

· तांत्रिक कौशल्य:तुमच्या विशिष्ट क्रिस्टल वाढीच्या प्रक्रियेसाठी तयार केलेले पूर्ण तांत्रिक समर्थन.