Sic एज रिंग

सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगच्या क्षेत्रात, वेफर प्रोसेसिंग उपकरणांचे मुख्य घटक म्हणून एसआयसी एज रिंग्ज, त्यांच्या भौतिक गुणधर्मांसह औद्योगिक लँडस्केपमध्ये क्रांती घडवून आणत आहेत. सिलिकॉन कार्बाईड सिंगल क्रिस्टल्सपासून बनविलेले या अचूक घटकाचे मूल्य केवळ त्याच्या उच्च-टेक सामग्रीमध्येच नाही तर चिप उत्पादकांना आणू शकणार्‍या ऑपरेटिंग खर्चाच्या उत्पन्नामध्ये आणि ऑप्टिमायझेशनमध्ये देखील आहे.

Sic एज रिंग स्ट्रक्चरल वैशिष्ट्ये

सिलिकॉन कार्बाईड एज रिंग्ज सेमीकंडक्टर एचिंग उपकरणांमध्ये मुख्य उपभोग्य घटक आहेत आणि रासायनिक वाष्प जमा (सीव्हीडी) पद्धतीने तयार केलेल्या उच्च-शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड मटेरियलपासून बनविलेले आहेत. त्याच्या कुंडलाकार संरचनेचा व्यास सहसा 200-450 मिमी असतो आणि जाडी 5-15 मिमीच्या आत नियंत्रित केली जाते, ज्यामध्ये खालील वैशिष्ट्ये आहेत:

1. एक्सट्रिम सहिष्णुता: 1500 च्या उच्च-तापमान वातावरणास प्रतिकार करू शकते ℃

2. प्लाझ्मा स्थिरता: डायलेक्ट्रिक स्थिर 9.7, ब्रेकडाउन व्होल्टेज 3 एमव्ही/सेमी

3. भूमितीय अचूकता: गोलपणा त्रुटी ≤0.05 मिमी, पृष्ठभाग उग्रपणा आरए <0.2μm

उत्पादन प्रक्रियेत ब्रेकथ्रू

आधुनिक तयारी प्रक्रिया तीन-चरण पद्धत स्वीकारते:

1. मॅट्रिक्स फॉर्मिंग: आयसोस्टॅटिक प्रेसिंग फॉर्मिंग एकसमान घनता सुनिश्चित करते

2. उच्च-तापमान सिन्टरिंग: 2100 ℃ वर जड वातावरणात घनता उपचार ℃

3. पृष्ठभाग बदल: नॅनोस्केल संरक्षणात्मक स्तर रिअॅक्टिव्ह आयन एचिंग (आरआयई) द्वारे तयार केले जातात. ताज्या संशोधनात असे दिसून आले आहे की सिलिकॉन कार्बाईड एज रिंग्जच्या सर्व्हिस लाइफने 3% बोरॉनसह डोप 40% वाढविले आहे आणि वेफर दूषित होण्याचे प्रमाण 0.01 पीपीएम स्तरावर कमी केले आहे.

अनुप्रयोग परिदृश्य

हे 5 एनएमच्या खाली असलेल्या प्रक्रियेत अपरिवर्तनीयता दर्शविते:

२. एकरूपता: हे वेफर काठावर ± 1.5% चे एचिंग रेट विचलन राखू शकते

3. प्रदूषण नियंत्रण: पारंपारिक क्वार्ट्ज सामग्रीच्या तुलनेत हे धातूचे प्रदूषण 92% कमी करते

4. देखभाल चक्र: ते सीएफ 4/ओ 2 प्लाझ्मामध्ये 1500 तास सतत ऑपरेट करू शकते

वेटेकसेमॉनने एसआयसी एज रिंग्जच्या घरगुती उत्पादनात एक यश मिळवले आहे, ज्यामुळे बर्‍याच खर्चाच्या खर्चाची बचत होते. आमच्याशी कोणत्याही वेळी संपर्क साधण्यासाठी आपले स्वागत आहे!