तंत्रज्ञान आणि उपाय

निवड मार्गदर्शक

01 एपिटॅक्सी आणि एचिंग प्रक्रियेत CVD SiC, TaC आणि सॉलिड SiC च्या कार्यप्रदर्शन सीमा
05

01 एपिटॅक्सी आणि एचिंग प्रक्रियेत CVD SiC, TaC आणि सॉलिड SiC च्या कार्यप्रदर्शन सीमा

योग्य CVD SiC, TaC कोटिंग किंवा सॉलिड SiC निवडल्याने एपिटॅक्सी/एचिंग लाईन्सवर कणांची पातळी आणि घटकांचे आयुष्यमान थेट निर्धारित होते. हा लेख आपल्याला जलद निर्णय घेण्यास आणि जोखीम कमी करण्यात मदत करण्यासाठी, मुख्य उपकरणे बदलण्याचे उपाय आणि मुख्य मेट्रिक्ससह जुळलेल्या तापमान, वातावरण आणि प्रक्रियेनुसार स्पष्ट निवड सीमा प्रदान करतो.
अधिक प i हा
X
आम्ही तुम्हाला एक चांगला ब्राउझिंग अनुभव देण्यासाठी, साइट रहदारीचे विश्लेषण करण्यासाठी आणि सामग्री वैयक्तिकृत करण्यासाठी कुकीज वापरतो. ही साइट वापरून, तुम्ही आमच्या कुकीजच्या वापरास सहमती देता. गोपनीयता धोरण
नकार द्यास्वीकारा