एकाच क्रिस्टल फर्नेसच्या थर्मल फील्डचे तापमान ग्रेडियंट काय आहे?

काय आहेथर्मल फील्ड?

चे तापमान क्षेत्रएकल क्रिस्टल वाढएकाच क्रिस्टल फर्नेसमध्ये तापमानाचे स्थानिक वितरण संदर्भित करते, ज्यास थर्मल फील्ड म्हणून देखील ओळखले जाते. कॅल्किनेशन दरम्यान, थर्मल सिस्टममध्ये तापमान वितरण तुलनेने स्थिर असते, ज्याला स्थिर थर्मल फील्ड म्हणतात. एकाच क्रिस्टलच्या वाढीदरम्यान, थर्मल फील्ड बदलेल, ज्याला डायनॅमिक थर्मल फील्ड म्हणतात.

जेव्हा एकच क्रिस्टल वाढतो, टप्प्याच्या सतत परिवर्तनामुळे (द्रव टप्प्यात घन टप्प्यात), घन टप्पा सुप्त उष्णता सतत सोडली जाते. त्याच वेळी, क्रिस्टल जास्त आणि लांब वाढत आहे, वितळण्याची पातळी सतत सोडत आहे आणि उष्णता वाहक आणि रेडिएशन बदलत आहे. म्हणून, थर्मल फील्ड बदलत आहे, ज्याला डायनॅमिक थर्मल फील्ड म्हणतात.

सॉलिड-लिक्विड इंटरफेस म्हणजे काय?

एका विशिष्ट क्षणी, भट्टीच्या कोणत्याही बिंदूचे विशिष्ट तापमान असते. जर आम्ही जागेतील बिंदू तापमान क्षेत्रातील समान तापमानासह जोडले तर आम्हाला एक स्थानिक पृष्ठभाग मिळेल. या स्थानिक पृष्ठभागावर, तापमान सर्वत्र समान आहे, ज्याला आपण आयसोथर्मल पृष्ठभाग म्हणतो. सिंगल क्रिस्टल फर्नेसमधील आइसोथर्मल पृष्ठभागांपैकी एक अतिशय विशेष आयसोथर्मल पृष्ठभाग आहे, जो घन टप्पा आणि द्रव टप्प्यातील इंटरफेस आहे, म्हणून त्याला सॉलिड-लिक्विड इंटरफेस देखील म्हणतात. क्रिस्टल सॉलिड-लिक्विड इंटरफेसमधून वाढते.

तापमान ग्रेडियंट म्हणजे काय?

तापमान ग्रेडियंट थर्मल फील्डमधील बिंदू ए च्या तपमानाच्या बदलाच्या दराचा संदर्भ आहे. जवळच्या बिंदू बीच्या तपमानापर्यंत. म्हणजे, युनिटच्या अंतरात तापमान बदलण्याचे प्रमाण.

जेव्हासिंगल क्रिस्टल सिलिकॉनवाढते, थर्मल फील्डमध्ये दोन प्रकार घन आणि वितळण्याचे दोन प्रकार आहेत आणि तापमान ग्रेडियंट्सचे दोन प्रकार देखील आहेत:

क्रिस्टलमधील रेखांशाचा तापमान ग्रेडियंट आणि रेडियल तापमान ग्रेडियंट.

The वितळण्यात रेखांशाचा तापमान ग्रेडियंट आणि रेडियल तापमान ग्रेडियंट.

▪ हे दोन पूर्णपणे भिन्न तापमान वितरण आहेत, परंतु सॉलिड-लिक्विड इंटरफेसवरील तापमान ग्रेडियंट जे क्रिस्टलीकरण स्थितीवर सर्वाधिक परिणाम करू शकते. क्रिस्टलचे रेडियल तापमान ग्रेडियंट क्रिस्टलच्या रेखांशाचा आणि ट्रान्सव्हर्स उष्णता वाहक, पृष्ठभाग रेडिएशन आणि थर्मल फील्डमधील नवीन स्थितीद्वारे निर्धारित केले जाते. सर्वसाधारणपणे सांगायचे तर, मध्यभागी तापमान जास्त असते आणि क्रिस्टलचे किनार तापमान कमी असते. वितळण्याचे रेडियल तापमान ग्रेडियंट प्रामुख्याने त्याच्या सभोवतालच्या हीटरद्वारे निर्धारित केले जाते, म्हणून मध्यभागी तापमान कमी असते, क्रूसिबलच्या जवळ तापमान जास्त असते आणि रेडियल तापमान ग्रेडियंट नेहमीच सकारात्मक असते.

थर्मल फील्डचे वाजवी तापमान वितरण खालील अटी पूर्ण करणे आवश्यक आहे:

The क्रिस्टलमधील रेखांशाचा तापमान ग्रेडियंट पुरेसा मोठा आहे, परंतु फार मोठा नाही, दरम्यान उष्णता अपव्यय क्षमता आहे हे सुनिश्चित करण्यासाठीक्रिस्टल वाढक्रिस्टलायझेशनची सुप्त उष्णता काढून टाकणे.

The वितळ्यातील रेखांशाचा तापमान ग्रेडियंट तुलनेने मोठा आहे, हे सुनिश्चित करते की वितळण्यात कोणतीही नवीन क्रिस्टल न्यूक्ली तयार केली जात नाही. तथापि, जर ते खूप मोठे असेल तर, विघटन आणि खंडित करणे सोपे आहे.

The स्फटिकरुप इंटरफेसमधील रेखांशाचा तापमान ग्रेडियंट योग्यरित्या मोठा आहे, ज्यामुळे आवश्यक अंडरकूलिंग तयार होते, जेणेकरून सिंगल क्रिस्टलमध्ये पुरेशी वाढ गती असेल. ते फार मोठे नसावे, अन्यथा स्ट्रक्चरल दोष उद्भवतील आणि क्रिस्टलीकरण इंटरफेस फ्लॅट करण्यासाठी रेडियल तापमान ग्रेडियंट शक्य तितक्या लहान असावे.

वेटेक सेमीकंडक्टर एक व्यावसायिक चिनी निर्माता आहेSic क्रिस्टल ग्रोथ सच्छिद्र ग्रेफाइट, मोनोक्रिस्टलिन क्रूसिबल खेचत आहे, सिलिकॉन सिंगल क्रिस्टल जिग खेचा, मोनोक्रिस्टलिन सिलिकॉनसाठी क्रूसिबल, क्रिस्टल वाढीसाठी टँटलम कार्बाईड लेपित ट्यूब?  सेमीकंडक्टर उद्योगासाठी विविध एसआयसी वेफर उत्पादनांसाठी प्रगत उपाय प्रदान करण्यासाठी वेटेक सेमीकंडक्टर वचनबद्ध आहे.

आपल्याला वरील उत्पादनांमध्ये स्वारस्य असल्यास, कृपया आमच्याशी थेट संपर्क साधा.  

मॉब: +86-180 6922 0752

व्हाट्सएप: +86 180 6922 0752

ईमेल: any@vetekesemi.com