उत्पादने
उत्पादने

सिलिकॉन कार्बाईड एपिटॅक्सी


उच्च-गुणवत्तेच्या सिलिकॉन कार्बाईड एपिटॅक्सची तयारी प्रगत तंत्रज्ञान आणि उपकरणे आणि उपकरणे उपकरणे यावर अवलंबून असते. सध्या, सर्वाधिक प्रमाणात वापरल्या जाणार्‍या सिलिकॉन कार्बाईड एपिटॅक्सी ग्रोथ पद्धत म्हणजे रासायनिक वाष्प जमा (सीव्हीडी). यात एपिटॅक्सियल फिल्म जाडी आणि डोपिंग एकाग्रता, कमी दोष, मध्यम वाढीचा दर, स्वयंचलित प्रक्रिया नियंत्रण इत्यादींचे अचूक नियंत्रण आहे आणि हे एक विश्वसनीय तंत्रज्ञान आहे जे व्यावसायिकपणे यशस्वीरित्या लागू केले गेले आहे.


सिलिकॉन कार्बाईड सीव्हीडी एपिटॅक्सी सामान्यत: गरम भिंत किंवा उबदार भिंत सीव्हीडी उपकरणे स्वीकारते, जे उच्च वाढीच्या तापमानाच्या स्थितीत (1500 ~ 1700 ℃), गरम भिंती किंवा उबदार भिंत सीव्हीडी, इनलेट एअर फ्लो डायरेक्शन आणि रिएक्टर पृष्ठभागाच्या रिअल चेंबरच्या संबंधानुसार, फूट पाडण्याच्या रिएक्टरच्या रिअलिंगच्या रिअलिंगच्या संबंधानुसार, एपिटॅक्सी लेयर 4 एच क्रिस्टलीय एसआयसीची सुरूवात सुनिश्चित करते.


एसआयसी एपिटॅक्सियल फर्नेसच्या गुणवत्तेसाठी तीन मुख्य निर्देशक आहेत, प्रथम म्हणजे एपिटॅक्सियल ग्रोथ परफॉरमन्स, ज्यात जाडी एकरूपता, डोपिंग एकसारखेपणा, दोष दर आणि वाढीचा दर; दुसरे म्हणजे हीटिंग/कूलिंग रेट, जास्तीत जास्त तापमान, तापमान एकसारखेपणा यासह उपकरणांचे तापमान कार्यक्षमता; अखेरीस, एकाच युनिटची किंमत आणि क्षमता यासह स्वतः उपकरणांची किंमत कामगिरी.



तीन प्रकारचे सिलिकॉन कार्बाईड एपिटॅक्सियल ग्रोथ फर्नेस आणि कोर अ‍ॅक्सेसरीज फरक


हॉट वॉल क्षैतिज सीव्हीडी (एलपीई कंपनीचे वैशिष्ट्यपूर्ण मॉडेल पीई 1 ओ 6), उबदार वॉल प्लॅनेटरी सीव्हीडी (टिपिकल मॉडेल आयक्सट्रॉन जी 5 डब्ल्यूडब्ल्यूसी/जी 10) आणि अर्ध-हॉट वॉल सीव्हीडी (नुफ्लेअर कंपनीच्या एपिरेवोस 6 द्वारे प्रतिनिधित्व केलेले) या स्टेजमध्ये ज्येष्ठ अनुप्रयोगांमध्ये अनुप्रयोग आहेत. तीन तांत्रिक उपकरणांमध्ये त्यांची स्वतःची वैशिष्ट्ये देखील आहेत आणि मागणीनुसार त्यांची निवड केली जाऊ शकते. त्यांची रचना खालीलप्रमाणे दर्शविली आहे:


संबंधित कोर घटक खालीलप्रमाणे आहेत:


(अ) गरम भिंत क्षैतिज प्रकार कोर भाग- हाफमून पार्ट्सचा समावेश आहे

डाउनस्ट्रीम इन्सुलेशन

मुख्य इन्सुलेशन अप्पर

अप्पर हाफमून

अपस्ट्रीम इन्सुलेशन

संक्रमण तुकडा 2

संक्रमण तुकडा 1

बाह्य एअर नोजल

टॅपर्ड स्नॉर्कल

बाह्य आर्गॉन गॅस नोजल

आर्गॉन गॅस नोजल

वेफर सपोर्ट प्लेट

केंद्रीत पिन

सेंट्रल गार्ड

डाउनस्ट्रीम डावे संरक्षण कव्हर

डाउनस्ट्रीम राइट प्रोटेक्शन कव्हर

अपस्ट्रीम डावे संरक्षण कव्हर

अपस्ट्रीम राइट प्रोटेक्शन कव्हर

बाजूची भिंत

ग्रेफाइट रिंग

संरक्षणात्मक वाटले

समर्थन वाटले

संपर्क ब्लॉक

गॅस आउटलेट सिलेंडर



(ब) उबदार भिंत ग्रहाचा प्रकार

एसआयसी कोटिंग ग्रह डिस्क आणि टीएसी लेपित ग्रह डिस्क


(सी) अर्ध-थर्मल वॉल स्टँडिंग प्रकार


नुफ्लेअर (जपान): ही कंपनी ड्युअल-चेंबर उभ्या फर्नेसेस ऑफर करते जे उत्पादन उत्पादनात वाढीस कारणीभूत ठरते. उपकरणांमध्ये प्रति मिनिट 1000 पर्यंत क्रांतीचे उच्च-गती फिरविणे समाविष्ट आहे, जे एपिटॅक्सियल एकरूपतेसाठी अत्यंत फायदेशीर आहे. याव्यतिरिक्त, त्याची एअरफ्लो दिशानिर्देश इतर उपकरणांपेक्षा भिन्न आहे, अनुलंबपणे खालच्या दिशेने आहे, ज्यामुळे कणांची निर्मिती कमी होते आणि वेफर्सवर पडणार्‍या कणांच्या थेंबांची संभाव्यता कमी होते. आम्ही या उपकरणांसाठी कोर एसआयसी लेपित ग्रेफाइट घटक प्रदान करतो.


एसआयसी एपिटॅक्सियल उपकरणे घटकांचा पुरवठादार म्हणून, वेटेक सेमीकंडक्टर ग्राहकांना एसआयसी एपिटॅक्सीच्या यशस्वी अंमलबजावणीस समर्थन देण्यासाठी उच्च-गुणवत्तेचे कोटिंग घटक प्रदान करण्यास वचनबद्ध आहे.



View as  
 
एसआयसी लेपित वेफर धारक

एसआयसी लेपित वेफर धारक

वेटेक सेमीकंडक्टर एक व्यावसायिक निर्माता आणि चीनमधील एसआयसी कोटेड वेफर धारक उत्पादनांचे नेते आहेत. सेमीकंडक्टर प्रोसेसिंगमधील एपिटॅक्सी प्रक्रियेसाठी एसआयसी कोटेड वेफर होल्डर एक वेफर धारक आहे. हे एक अपरिवर्तनीय डिव्हाइस आहे जे वेफरला स्थिर करते आणि एपिटॅक्सियल लेयरची एकसमान वाढ सुनिश्चित करते. आपल्या पुढील सल्ल्याचे स्वागत आहे.
एपीआय वेफर धारक

एपीआय वेफर धारक

वेटेक सेमीकंडक्टर चीनमधील एक व्यावसायिक ईपीआय वेफर धारक निर्माता आणि कारखाना आहे. एपीआय वेफर होल्डर सेमीकंडक्टर प्रक्रियेतील एपिटॅक्सी प्रक्रियेसाठी वेफर धारक आहे. वेफर स्थिर करणे आणि एपिटॅक्सियल लेयरची एकसमान वाढ सुनिश्चित करणे हे एक महत्त्वाचे साधन आहे. हे एमओसीव्हीडी आणि एलपीसीव्हीडी सारख्या एपिटॅक्सी उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणात वापरले जाते. हे एपिटॅक्सी प्रक्रियेतील एक अपरिवर्तनीय डिव्हाइस आहे. आपल्या पुढील सल्ल्याचे स्वागत आहे.
आयक्सट्रॉन उपग्रह वेफर कॅरियर

आयक्सट्रॉन उपग्रह वेफर कॅरियर

वेटेक सेमीकंडक्टरचा ixttron उपग्रह वेफर कॅरियर एक वेफर कॅरियर आहे जो आयएक्सट्रॉन उपकरणांमध्ये वापरला जातो, जो प्रामुख्याने एमओसीव्हीडी प्रक्रियेमध्ये वापरला जातो आणि विशेषत: उच्च-तापमान आणि उच्च-परिशुद्धता सेमीकंडक्टर प्रक्रिया प्रक्रियेसाठी योग्य आहे. कॅरियर एमओसीव्हीडी एपिटॅक्सियल ग्रोथ दरम्यान स्थिर वेफर समर्थन आणि एकसमान फिल्म जमा करू शकतो, जो लेयर जमा प्रक्रियेसाठी आवश्यक आहे. आपल्या पुढील सल्ल्याचे स्वागत आहे.
एलपीई हाफमून एसआयसी एपीआय अणुभट्टी

एलपीई हाफमून एसआयसी एपीआय अणुभट्टी

वेटेक सेमीकंडक्टर एक व्यावसायिक एलपीई हाफमून एसआयसी ईपीआय अणुभट्टी उत्पादन उत्पादक, चीनमधील इनोव्हेटर आणि नेता आहे. एलपीई हाफमून एसआयसी एपीआय अणुभट्टी हे विशेषत: सेमीकंडक्टर उद्योगात वापरल्या जाणार्‍या उच्च-गुणवत्तेच्या सिलिकॉन कार्बाइड (एसआयसी) एपिटॅक्सियल थर तयार करण्यासाठी डिझाइन केलेले एक डिव्हाइस आहे. आपल्या पुढील चौकशीत आपले स्वागत आहे.
सीव्हीडी एसआयसी लेपित कमाल मर्यादा

सीव्हीडी एसआयसी लेपित कमाल मर्यादा

वेटेक सेमीकंडक्टरच्या सीव्हीडी एसआयसी लेपित कमाल मर्यादेमध्ये उच्च तापमान प्रतिरोध, गंज प्रतिरोध, उच्च कडकपणा आणि कमी थर्मल एक्सपेंशन गुणांक यासारख्या उत्कृष्ट गुणधर्म आहेत, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये एक आदर्श भौतिक निवड आहे. चीनचे अग्रगण्य सीव्हीडी एसआयसी लेपित कमाल मर्यादा निर्माता आणि पुरवठादार म्हणून, वेटेक सेमीकंडक्टर आपल्या सल्ल्याची अपेक्षा करतो.
सीव्हीडी एसआयसी ग्रेफाइट सिलेंडर

सीव्हीडी एसआयसी ग्रेफाइट सिलेंडर

वेटेक सेमीकंडक्टरचे सीव्हीडी एसआयसी ग्रॅफाइट सिलेंडर सेमीकंडक्टर उपकरणांमध्ये महत्त्वपूर्ण आहे, उच्च तापमान आणि दबाव सेटिंग्जमध्ये अंतर्गत घटकांचे रक्षण करण्यासाठी अणुभट्ट्यांमध्ये संरक्षणात्मक ढाल म्हणून काम करते. हे रसायने आणि अति उष्णतेविरूद्ध प्रभावीपणे ढाल करते, उपकरणांची अखंडता जतन करते. अपवादात्मक पोशाख आणि गंज प्रतिरोधकासह, हे आव्हानात्मक वातावरणात दीर्घायुष्य आणि स्थिरता सुनिश्चित करते. या कव्हर्सचा वापर केल्याने सेमीकंडक्टर डिव्हाइसची कार्यक्षमता वाढते, आयुष्य वाढवते आणि देखभाल आवश्यकता कमी करते आणि नुकसान जोखीम कमी करते. आम्हाला चौकशी करण्यासाठी.

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.


Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.


Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs,  IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.


Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.


To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.


चीनमधील एक व्यावसायिक सिलिकॉन कार्बाईड एपिटॅक्सी निर्माता आणि पुरवठादार म्हणून आमच्याकडे आमचा स्वतःचा कारखाना आहे. आपल्या प्रदेशाच्या विशिष्ट गरजा भागविण्यासाठी आपल्याला सानुकूलित सेवांची आवश्यकता असल्यास किंवा चीनमध्ये बनविलेले प्रगत आणि टिकाऊ {77 brook खरेदी करायचे असल्यास आपण आम्हाला एक संदेश सोडू शकता.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept