QR कोड
आमच्याबद्दल
उत्पादने
आमच्याशी संपर्क साधा


फॅक्स
+86-579-87223657


पत्ता
वांगडा रोड, झियांग स्ट्रीट, वुई काउंटी, जिन्हुआ सिटी, झेजियांग प्रांत, चीन
मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्समध्ये उच्च पॉकेट-टू-पॉकेट व्हेरिएशन (1.4%) मुळे फिल्म जाडी नॉन-एकसमानतेच्या समस्येला संबोधित करताना, VeTek सेमीकंडक्टरने ससेप्टर फ्लॅटनेस <0.08 मिमी पर्यंत सुधारला आहे आणि पॉकेट-टू-पॉकेट फील्ड व्हेरिएशन 69% द्वारे कमी केले आहे. आणि उच्च-परिशुद्धता मशीनिंग, लक्षणीयरीत्या एपिटॅक्सियल वेफर उत्पन्न वाढवते.
उच्च-परिशुद्धता CVD SiC कोटिंगसह मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्स
मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी उत्पादनादरम्यान, आमच्या क्लायंटला (एक सेमीकंडक्टर वेफर फाउंड्री) एपिटॅक्सियल लेयर जाडी (मूळ डेटा: 1.4%) मध्ये उच्च पॉकेट-टू-पॉकेट भिन्नतेसह दीर्घकालीन आव्हानांना सामोरे जावे लागले. यामुळे एपिटॅक्सियल वेफरची सुसंगतता आणि डाउनस्ट्रीम डिव्हाइस उत्पन्नावर गंभीर परिणाम झाला. 3D संख्यात्मक सिम्युलेशन करून आणि CVD एपिटॅक्सी फर्नेसमधील अंतर्गत द्रव गतिशीलता आणि थर्मल फील्डचे विश्लेषण करून, टूलींग स्ट्रक्चर ऑप्टिमायझेशन आणि उच्च-परिशुद्धता रासायनिक वाष्प डिपॉझिशन सिलिकॉन कार्बाइड (CVD SiC) कोटिंग तंत्रज्ञानासह एकत्रितपणे, व्हेटेक टीमने मल्टिकॉन पृष्ठभागाच्या सपाटपणामध्ये लक्षणीय सुधारणा केली आहे. सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर <0.20 मिमी ते <0.08 मिमी. या सुधारणांनंतर, क्लायंटच्या पॉकेट-टू-पॉकेट फिल्म जाडीतील फरक 0.69% पर्यंत घसरला, ज्यामुळे फिल्म जाडीच्या एकसमानतेमध्ये गुणात्मक झेप घेतली.
मुख्य कार्यप्रदर्शन मेट्रिक्स तुलना
|
की मेट्रिक |
पूर्व-सुधारणा डेटा |
सुधारणा नंतरचा डेटा |
ऑप्टिमायझेशन आणि सुधारणा मार्जिन |
|
चित्रपटाची जाडी पॉकेट-टू-पॉकेट भिन्नता |
1.40% |
०.६९% |
50.7% ने कमी केले (0.71% ची पूर्ण घट) |
|
ग्रेफाइट ससेप्टर सपाटपणा |
< 0.20 मिमी |
< ०.०८ मिमी (पारंपारिक <०.१५ मिमी) |
सपाटपणा अचूकता 60% ने सुधारली |
|
सीव्हीडी एपिटॅक्सियल वेफर फिल्मची जाडी एकरूपता |
खराब (तीव्र सीमा प्रभाव) |
उत्कृष्ट (उत्कृष्ट पूर्ण-डिस्क सुसंगतता) |
मुख्य प्रवाहातील टियर-1 फाउंड्री ग्रेड-ए मानक गाठले |
|
एपिटॅक्सियल वेफर एकूण उत्पादन उत्पन्न |
एज वेफर्ससाठी उच्च स्क्रॅप दर |
लक्षणीय सुधारणा |
सिंगल-रन आउटपुट कार्यक्षमता ~12% ने वाढली |
मुख्य दृष्टीकोन: मोठ्या आकाराच्या, मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये, अगदी मिनीट ससेप्टर विकृती देखील महाग चिप उत्पन्न नुकसानीद्वारे वाढविली जाते.
या भागीदारीतील क्लायंट हे 8-इंच/12-इंच पॉवर डिव्हाइस आणि सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वेफर फाउंड्री आहे, जे प्रामुख्याने उच्च-व्होल्टेज MOSFETs, IGBTs आणि ऑटोमोटिव्ह इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये वापरल्या जाणाऱ्या जाड-फिल्म सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वेफर्सचे उत्पादन करते. डाउनस्ट्रीम ग्राहक चिप इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्समध्ये वाढत्या कडक सुसंगततेची मागणी करत असल्याने, एपिटॅक्सियल लेयरची जाडी आणि प्रतिरोधक एकरूपता हे एपिटॅक्सियल वेफरच्या गुणवत्तेचे मूल्यांकन करण्यासाठी मुख्य मेट्रिक्स बनले आहेत. क्लायंट मल्टी-पॉकेट CVD सिलिकॉन एपिटॅक्सी रिॲक्टर्सचा वापर करतो जे एकाच वेळी एकाच वेळी अनेक सिलिकॉन वेफर्सवर प्रक्रिया करण्यास सक्षम असतात. तथापि, दीर्घकाळापर्यंत उच्च-तापमान थर्मल सायकलिंग आणि वायू प्रवाह इरोशनमुळे, त्यांचे मूळ ग्रेफाइट ससेप्टर्स यापुढे पॉकेट-टू-पॉकेट भिन्नता आणि सपाटपणा संबंधित उच्च-परिशुद्धता प्रक्रिया आवश्यकता पूर्ण करू शकत नाहीत.
मुख्य दृष्टीकोन: अत्यधिक ग्रेफाइट ससेप्टर सपाटपणा सहिष्णुता थेट CVD भट्टीच्या आत थर्मल वहन आणि वायू प्रवाह क्षेत्र वितरणात व्यत्यय आणते, ज्यामुळे खिशांमधील जाडीमध्ये तीव्र फरक निर्माण होतो.
सीव्हीडी सिलिकॉन एपिटॅक्सियल वाढीदरम्यान, पूर्ववर्ती वायू (जसे की SiHCl3/SiH4) वेफरच्या पृष्ठभागावर उच्च तापमानात जमा होतात आणि एकल-क्रिस्टल एपिटॅक्सियल थर तयार करतात. ग्रेफाइट ससेप्टर केवळ वाहक म्हणून काम करत नाही तर एकसमान उष्णता वाहक आणि प्रवाह क्षेत्र मार्गदर्शनामध्ये देखील महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते. क्लायंटला सामोरे जाणाऱ्या विशिष्ट तांत्रिक अडथळ्यांमध्ये हे समाविष्ट होते:
विस्तारित वापरानंतर पृष्ठभागावरील सूक्ष्म-विकृतीमुळे, क्लायंटच्या मूळ मल्टी-पॉकेट ग्रेफाइट ससेप्टर्सने वैयक्तिक खिशांमधील पॉकेट रिसेस खोली आणि थर्मल रेडिएशन कार्यक्षमतेमध्ये थोडा फरक दर्शविला. वास्तविक मोजमापांनी पॉकेट-टू-पॉकेट भिन्नता डेटा 1.4% इतका उच्च असल्याचे दिसून आले. या विसंगतीमुळे एकाच बॅचमध्ये वेगवेगळ्या पॉकेट्समध्ये ठेवलेल्या सिलिकॉन वेफर्समधील एपिटॅक्सियल लेयरच्या वाढीचा दर थेट विसंगत झाला, परिणामी फिल्म जाडीचे विचलन जास्त झाले.
मूळ ससेप्टर्सची सपाटता केवळ <0.20 मिमी स्तरावर राखली जाऊ शकते. 1100°C–1200°C च्या उच्च-तापमानातील एपिटॅक्सी वातावरणात, असमान पृष्ठभागामुळे अभिक्रिया करणाऱ्या वायूचा प्रवाह स्थानिकीकृत एडीज तयार होतो आणि ससेप्टर आणि इंडक्शन हीटरमध्ये एकसमान अंतर नसतात. यामुळे नंतर संपूर्ण पृष्ठभागावर नॉन-एकसमान थर्मल फील्ड प्रेरित झाले, ज्यामुळे चित्रपटाच्या जाडीतील चढउतार खराब होतात.
वेदना बिंदू आणि तांत्रिक यंत्रणा विश्लेषण
|
वेदना बिंदू प्रकटीकरण |
भौतिक / प्रक्रिया यंत्रणा |
उत्पादन आणि उत्पन्नावर परिणाम |
|
पॉकेट-टू-पॉकेट फरक 1.4% |
खिशातील विसंगत खोली आणि तळाशी उष्णता वाहक दर |
एकाच बॅचमधील वेफर्समध्ये मोठ्या जाडीचे फरक; ग्रेड-ए उत्पन्नाचा दर घसरला |
|
सपाटपणा > 0.20 मिमी |
पृष्ठभागाच्या अंड्युलेशनमुळे उच्च तापमानात असमान उष्णता विकिरण आणि वायू अशांतता निर्माण होते |
वेफर केंद्र आणि किनारा दरम्यान ट्रॅपेझॉइड-सारखी जाडीचे विचलन; कडा प्रभाव वाढला |
|
लहान कोटिंग जीवन / सोलणे संवेदनाक्षम |
पारंपारिक SiC कोटिंग आणि ग्रेफाइट दरम्यान खराब थर्मल विस्तार गुणांक जुळणे |
कण दूषित होणे; देखभालीसाठी वारंवार उपकरणे डाउनटाइम |
मुख्य दृष्टीकोन: संख्यात्मक सिम्युलेशनद्वारे प्रवाह आणि थर्मल फील्ड ऑप्टिमाइझ करणे, मायक्रॉन-स्तरीय अचूक CNC मशीनिंग आणि उच्च-शुद्धता दाट CVD SiC कोटिंगसह, मूलभूतपणे ससेप्टर कार्यक्षमतेचा आकार बदलतो.
क्लायंटच्या पॉकेट-टू-पॉकेट व्हेरिएशन आणि फ्लॅटनेस अडथळ्यांचे निराकरण करण्यासाठी, VeTek सेमीकंडक्टर अभियांत्रिकी संघाने साइटवर मूल्यांकन केले, अणुभट्टी ऑपरेशनल पॅरामीटर्स काढले आणि पूर्णपणे सानुकूलित, एंड-टू-एंड ऑप्टिमायझेशन सोल्यूशन डिझाइन केले:
VeTek सेमीकंडक्टर प्रगत अचूक मशीनिंग, क्लीनरूम आणि गुणवत्ता नियंत्रण सुविधा
ANSYS Fluent वापरून, CVD अणुभट्टीच्या आत गॅस प्रवाह वेग, सीमा स्तराची जाडी आणि थर्मल रेडिएशन उष्णता हस्तांतरण यासाठी 3D संख्यात्मक सिम्युलेशन केले गेले. मॉडेलिंग विश्लेषणाच्या आधारे, पॉकेट एज ट्रांझिशन रेडी आणि ससेप्टर पृष्ठभागावरील गॅस-मार्गदर्शक ग्रूव्ह स्ट्रक्चर्सची पुनर्रचना केली गेली, ज्यामुळे अभिक्रियात्मक वायू प्रत्येक खिशाच्या वर अत्यंत सुसंगत लॅमिनार प्रवाह व्यवस्था राखण्यासाठी आणि स्थानिकीकृत भोवरे काढून टाकण्यास सक्षम करतात.
उच्च-घनता, उच्च-शुद्धता आयसोट्रॉपिक आयसोस्टॅटिक ग्रेफाइट, अपग्रेड केलेल्या 5-अक्ष CNC प्रिसिजन मशीनिंग टूलिंगसह, सब्सट्रेट सामग्री म्हणून निवडले गेले. प्रक्रियेदरम्यान क्लॅम्पिंग स्ट्रेस कंट्रोल आणि टूल पाथ ट्रॅजेक्टोरीज रिफाइन करून, पोस्ट-मशीनिंग ससेप्टर फ्लॅटनेस <0.20mm ते <0.15mm खाली काटेकोरपणे नियंत्रित केले गेले, कोर टॉप-ग्रेड ससेप्टर पृष्ठभागांनी <0.08mm ची यशस्वी फ्लॅटनेस प्राप्त केली.
ग्रेफाइट सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर एकसमान जाडी असलेले अत्यंत दाट α-SiC कोटिंग केमिकल वाफ डिपॉझिशन (CVD) द्वारे उगवले गेले. कोटिंगमध्ये 99.999% (5N-6N ग्रेड), उच्च औष्णिक चालकता आणि हॉट हायड्रोजन क्लोराईड (HCl) वायूच्या क्षरणाला प्रतिरोधकता आहे. हे ग्रेफाइट सब्सट्रेटच्या थर्मल विस्ताराच्या गुणांकाशी (CTE) उत्तम प्रकारे जुळते, जलद थर्मल सायकलिंग दरम्यान शून्य सूक्ष्म क्रॅक किंवा डेलेमिनेशन सुनिश्चित करते.
तांत्रिक उपाय आणि कार्यप्रदर्शन फायदे
|
तांत्रिक परिमाण |
VeTek सुधारणा उपाय |
तांत्रिक फायदे आणि परिणाम |
|
स्ट्रक्चरल आणि फ्लो फील्ड डिझाइन |
3D CVD फ्लो फील्ड सिम्युलेशन + प्रवाह मार्गदर्शनासाठी पॉकेट एज मायक्रो-स्ट्रक्चर्स |
गॅस प्रवाह वितरण एकसमानता 35% वाढली; सीमा डिपॉझिशन फरक दूर केला |
|
मशीनिंग अचूक नियंत्रण |
5-अक्ष CNC अल्ट्रा-प्रिसिजन मशीनिंग + स्ट्रेस-रिलीफ टूलिंग |
सपाटपणा गाठला <0.08 मिमी; खिशातील खोली सहिष्णुता ±0.003mm आत नियंत्रित |
|
कोटिंग साहित्य आणि प्रक्रिया |
उच्च-शुद्धता CVD SiC दाट कोटिंग (जाडी 100-150μm) |
अपवादात्मक गंज आणि थर्मल शॉक प्रतिरोध; ऑपरेशनल सेवा आयुष्य > 40% ने वाढवले |
मुख्य भौतिक गुणधर्म, SEM जाडीची एकरूपता आणि CVD SiC कोटिंगचे अति-उच्च शुद्धता विश्लेषण
कोर परिप्रेक्ष्य: मोजलेला फील्ड डेटा दर्शवितो की ससेप्टर फ्लॅटनेस ऑप्टिमायझेशन थेट एपिटॅक्सियल फिल्म पॉकेट-टू-पॉकेट व्हेरिएशनमध्ये लक्षणीय 50.7% घट मध्ये अनुवादित आहे.
VeTek सेमीकंडक्टरच्या ऑप्टिमाइझ केलेल्या मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्ससह जुने भाग बदलल्यानंतर, क्लायंटने त्यांच्या लाइनवर 30-दिवसांचा सतत उच्च-वॉल्यूम उत्पादन ट्रॅकिंग अभ्यास केला. एकत्रित केलेल्या वास्तविक गुणवत्ता सुधारणा डेटामध्ये हे समाविष्ट आहे:
क्लायंटच्या मोजलेल्या उत्पादन डेटावरून असे दिसून आले आहे की पॉकेट-टू-पॉकेट भिन्नता 1.4% वरून 0.69% पर्यंत लक्षणीयरीत्या घसरली आणि एकूण 50.7% ची घट झाली. यामुळे वेगवेगळ्या खिशातील वाढीच्या दरातील तफावत कमी झाली.
फ्लो फील्ड ऑप्टिमायझेशन आणि उच्च-परिशुद्धता टूलिंगद्वारे, मोठ्या प्रमाणावर उत्पादित ससेप्टर्सने <0.15 मिमीच्या आत सातत्याने सपाटपणा प्राप्त केला, उच्च-स्तरीय ससेप्टर्स स्थिरपणे <0.08 मिमी, मानक उद्योग मानदंडांपेक्षा खूप जास्त आहेत.
अत्यंत स्थिर थर्मल आणि फ्लो फील्ड्समुळे, एपिटॅक्सियल लेयरची प्रतिरोधकता आणि जाडी एकसमानता मेट्रिक्स प्रीमियम गुणवत्ता श्रेणींमध्ये प्रवेश करतात. फाउंड्री च्या ग्रेड-ए वेफर उत्पादन दरात अंदाजे 3.5% वाढ झाली आहे, स्क्रॅप केलेल्या वेफरच्या खर्चात दरवर्षी शेकडो हजारो आरएमबीची बचत होते.
उत्तर:उच्च-तापमान CVD प्रक्रियांमध्ये, सिलिकॉन वेफर्स प्रामुख्याने थर्मल वहन आणि ससेप्टरमधून थर्मल रेडिएशनद्वारे गरम केले जातात. जर ससेप्टर फ्लॅटनेस खराब असेल (उदा. >0.20 मिमी), तो ससेप्टर आणि अंतर्निहित हीटरमध्ये असमान अंतर निर्माण करतो, ज्यामुळे स्थानिक तापमानात बदल होतो. त्याच बरोबर, असमान पृष्ठभागामुळे अभिक्रियाशील वायूंच्या लॅमिनार प्रवाहात व्यत्यय येतो, ज्यामुळे स्थानिक वायू एकाग्रता आणि वेगातील चढउतार होतात, जे थेट पॉकेट-टू-पॉकेट फिल्म जाडीच्या भिन्नतेच्या रूपात प्रकट होतात.
उत्तर:VeTek अल्ट्रा-हाय-प्युरिटी CVD सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग्ज वापरते ज्यात ग्रेफाइट सब्सट्रेटशी अचूक CTE जुळते. 1200°C उच्च-तापमान आणि H2/HCl संक्षारक वातावरणात, ते अपवादात्मक थर्मल शॉक प्रतिरोध आणि रासायनिक जडत्व प्रदर्शित करते, सामान्यत: मानक उद्योग कोटेड ससेप्टर्सच्या तुलनेत 30% ते 50% पर्यंत सेवा आयुष्य वाढवते.
उत्तर:होय. VeTek कडे संपूर्ण CVD प्रवाह/थर्मल फील्ड सिम्युलेशन क्षमता आणि एक अचूक CNC प्रक्रिया साखळी आहे. आम्ही 1:1 रिव्हर्स इंजिनिअरिंग किंवा स्ट्रक्चरल ऑप्टिमायझेशन क्लायंट-प्रदान केलेल्या फर्नेस परिमाणे, एअरफ्लो पॅरामीटर्स किंवा लीगेसी ससेप्टर ड्रॉइंगवर आधारित करू शकतो.
उत्तर:सर्व ससेप्टर उत्पादने वर्ग 1000 क्लीनरूममध्ये अल्ट्रासोनिक क्लीनिंग आणि अँटी-स्टॅटिक व्हॅक्यूम पॅकेजिंगमधून जातात. सानुकूलित उच्च-घनता ईव्हीए शॉक-अवशोषण मॉड्यूल्स वापरून आतील भाग सुरक्षित केला जातो आणि बाह्य भाग निर्यात-दर्जाच्या फ्युमिगेटेड लाकडी क्रेटमध्ये पॅक केला जातो, ज्यामुळे शून्य-प्रभाव वितरण सुनिश्चित होते.
मुख्य दृष्टीकोन: उच्च-गुणवत्तेचे सेमीकंडक्टर यांत्रिक आणि थर्मोडायनामिक टूलिंग घटक फाउंड्री स्पर्धात्मकता वाढविण्यासाठी थेट गुंतवणूकीचे प्रतिनिधित्व करतात.
मल्टी-पॉकेट सिलिकॉन एपिटॅक्सी ग्रेफाइट ससेप्टर्सवर CVD फ्लो फील्ड सिम्युलेशन, प्रिसिजन टूलिंग कंट्रोल आणि CVD SiC कोटिंग ऑप्टिमायझेशन लागू करून, VeTek सेमीकंडक्टरने क्लायंटला फिल्मची जाडी पॉकेट-टू-पॉकेट व्हेरिएशन 1.4% वरून 0.69% पर्यंत कमी करण्यात यशस्वीरित्या मदत केली, चित्रपटाच्या जाडीचे आव्हान 0.69% पूर्ण केले. एकसमानता नसणे.
तुम्हाला epitaxial लेयर नॉन-एकरूपता, ग्रेफाइट ससेप्टर डिफॉर्मेशन, हाय पॉकेट-टू-पॉकेट व्हेरिएशन, किंवा CVD कोटिंग पीलिंग यांसारख्या तांत्रिक वेदना बिंदूंचा सामना करावा लागत असल्यास, विनामूल्य प्रवाह फील्ड मूल्यांकन आणि सानुकूलित ऑप्टिमायझेशन योजना प्राप्त करण्यासाठी VeTek सेमीकंडक्टर तांत्रिक तज्ञ टीमशी संपर्क साधा!
![]()
+86-579-87223657
वांगडा रोड, झियांग स्ट्रीट, वुई काउंटी, जिन्हुआ सिटी, झेजियांग प्रांत, चीन
कॉपीराइट © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. सर्व हक्क राखीव.
Links | Sitemap | RSS | XML | गोपनीयता धोरण |