सिलिकॉन कार्बाइड कोटिंग

हाफमून हा एक ग्रेफाइट घटक आहे जो LPE SiC अणुभट्ट्यांच्या आत वापरला जातो, जो मुख्यतः चेंबर हॉट झोनभोवती स्थापित केला जातो. जरी ते वेफरशी थेट संपर्क साधत नाही, तरीही ते एपिटॅक्सियल वाढीदरम्यान गॅस प्रवाह स्थिरता आणि अणुभट्टी ऑपरेशनमध्ये भूमिका बजावते. उच्च तापमान आणि प्रतिक्रियाशील प्रक्रिया परिस्थिती हाताळण्यासाठी, घटक सामान्यतः CVD SiC कोटिंगसह संरक्षित केला जातो, तर काही अनुप्रयोगांसाठी TaC कोटिंग देखील उपलब्ध आहे. VETEK SiC epitaxy सिस्टीमसाठी ग्रेफाइट फील इन्सुलेशन आणि इतर कोटेड ग्रेफाइट भाग देखील पुरवते.

8-इंच SiC epi टॉप रिंग सेमीकंडक्टर रिॲक्टर्ससाठी हार्डवेअर भाग आहे. हे Si/SiC epitaxy आणि MOCVD/CVD सिस्टीममध्ये कार्य करते. ही रिंग चेंबरच्या आत उष्णता स्थिर करते. ते वायूंच्या प्रवाहावरही नियंत्रण ठेवते. सामग्री उच्च-शुद्धता CVD सिलिकॉन कार्बाइड आहे. त्यात ग्रेफाइटचे आउटगॅसिंग समस्या नाहीत. हे उत्पादनादरम्यान कणांचे प्रदूषण देखील कमी करते. आम्ही तुमच्या चौकशीचे स्वागत करतो.

VETEK MOCVD SiC कोटेड ससेप्टर हे एक अचूक-अभियांत्रिक वाहक समाधान आहे जे विशेषतः LED आणि कंपाऊंड सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सियल वाढीसाठी विकसित केले आहे. हे जटिल MOCVD वातावरणात अपवादात्मक थर्मल एकरूपता आणि रासायनिक जडत्व दाखवते. VETEK च्या कठोर CVD डिपॉझिशन प्रक्रियेचा लाभ घेत, आम्ही वेफरच्या वाढीची सातत्य वाढवण्यासाठी आणि मुख्य घटकांचे सेवा आयुष्य वाढवण्यासाठी वचनबद्ध आहोत, तुमच्या सेमीकंडक्टर उत्पादनाच्या प्रत्येक बॅचसाठी स्थिर आणि विश्वासार्ह कामगिरीची हमी प्रदान करतो.

Veteksemicon सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) फोकसिंग रिंग हा प्रगत सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सी आणि प्लाझ्मा एचिंग प्रक्रियेमध्ये वापरला जाणारा एक महत्त्वपूर्ण उपभोग्य घटक आहे, जेथे प्लाझ्मा वितरण, थर्मल एकरूपता आणि वेफर एज इफेक्ट्सचे अचूक नियंत्रण आवश्यक आहे. उच्च-शुद्धतेच्या सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइडपासून निर्मित, ही फोकसिंग रिंग अपवादात्मक प्लाझ्मा इरोशन प्रतिरोध, उच्च-तापमान स्थिरता आणि रासायनिक जडत्व दर्शवते, आक्रमक प्रक्रिया परिस्थितीत विश्वसनीय कार्यप्रदर्शन सक्षम करते. आम्ही तुमच्या चौकशीची वाट पाहत आहोत.

Veteksemicon SiC Coated Epitaxial Reactor चेंबर हा अर्धसंवाहक एपिटॅक्सियल ग्रोथ प्रक्रियेच्या मागणीसाठी डिझाइन केलेला एक मुख्य घटक आहे. प्रगत रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) वापरून, हे उत्पादन उच्च-शक्तीच्या ग्रेफाइट सब्सट्रेटवर दाट, उच्च-शुद्धता SiC कोटिंग तयार करते, परिणामी उच्च-तापमान स्थिरता आणि गंज प्रतिकार होतो. हे उच्च-तापमान प्रक्रियेच्या वातावरणात अभिक्रियाकारक वायूंच्या संक्षारक प्रभावांना प्रभावीपणे प्रतिकार करते, कण दूषिततेला लक्षणीयरीत्या दाबते, सातत्यपूर्ण एपिटॅक्सियल सामग्रीची गुणवत्ता आणि उच्च उत्पादन सुनिश्चित करते आणि प्रतिक्रिया कक्षाचे देखभाल चक्र आणि आयुष्य लक्षणीयरीत्या वाढवते. SiC आणि GaN सारख्या वाइड-बँडगॅप सेमीकंडक्टरची उत्पादन कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुधारण्यासाठी ही एक प्रमुख निवड आहे.

सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल वाढीच्या मुख्य प्रक्रियेत, वेटेकसेमिकॉनला समजते की ससेप्टरची कार्यक्षमता थेट एपिटॅक्सियल लेयरची गुणवत्ता आणि उत्पादन कार्यक्षमता निर्धारित करते. विशेषत: SiC फील्डसाठी डिझाइन केलेले आमचे उच्च-शुद्धता EPI ससेप्टर्स, विशेष ग्रेफाइट सब्सट्रेट आणि दाट CVD SiC कोटिंग वापरतात. त्यांच्या उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट गंज प्रतिकार आणि अत्यंत कमी कण निर्मिती दरासह, ते कठोर उच्च-तापमान प्रक्रिया वातावरणात देखील ग्राहकांसाठी अतुलनीय जाडी आणि डोपिंग एकसमानता सुनिश्चित करतात. Veteksemicon निवडणे म्हणजे तुमच्या प्रगत सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेसाठी विश्वासार्हता आणि कार्यक्षमतेचा आधारस्तंभ निवडणे.